[发明专利]一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法

权利要求书

1.一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；

（2）用模具冲切成需要烧结的生坯规格；

（3）冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；

（4）进行排胶；

（5）排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片；

（6）在素坯上压氮化硼压重板，再用坩埚放入石墨炉内进行烧结；

（7）烧结完成后去除隔离粉得到产品。

2.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（3）冲切好的生坯堆叠成50-200片、在温度15-30℃、相对湿度60±10%稳定的环境中进行压重陈腐20-48小时。

3.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（4）用箱式排胶炉进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。

4.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（4）用隧道窑进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。

5.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（7）烧结时间24-60小时、烧结温度1700-1880℃，保温时间4-20小时。

6.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（8）烧结完成后用震动手磨机去除隔离粉。

7.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（8）烧结完成后用喷砂方式去除隔离粉。

8.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（9）翘曲检验用厚度12mm的两块宽度一致、长度不一致的玻璃板、中间放入塞尺过翘曲、产品翘曲度长边≤3‰。

9.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（10）检验完成后、得到相应的氮化铝陶瓷基板。

10.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于： （1）氮化铝陶瓷生坯采用特种陶瓷流延机经刮刀流延成陶瓷坯片。