[发明专利]蒸发源的蒸发速率控制设备、方法、装置及存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种蒸发源的蒸发速率控制设备、方法、装置及存储介质。其中，设备包括相连接的控制器和在线采集仪；在线采集仪用于采集基板的镀膜参数，并将所述镀膜参数发送至所述控制器；所述控制器，用于根据接收的镀膜参数生成加热功率调整量，并基于所述加热功率调整量对蒸发源的蒸发速率进行控制。本发明实施例提供的设备可以控制蒸发源的蒸发速率。

技术领域

本发明实施例涉及工程控制技术，尤其涉及一种蒸发源的蒸发速率控制设备、方法、装置及存储介质。

背景技术

CIGS是太阳能薄膜电池的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)。在玻璃衬底上沉积铜铟镓硒功能膜，是CIGS生产的核定技术。其中，共蒸发镀膜CIGS是目前较为成熟的方法。CIGS中CU、IN、GA、SE四元素的配比和厚度决定了薄膜的质量，而元素配比和厚度与各元素的蒸发速率有直接关系。因此，有必要控制各蒸发源的蒸发速率。

由于各蒸发源的蒸发速率受到多种因素的影响，比如蒸发源的膜料量，膜料蒸发后在真空腔室的分压，蒸发源自身电阻、电流以及蒸发源的安装位置等，并且随着膜料的蒸发，膜料受热情况发生改变，膜料的蒸发速率也受到影响，因此，难以对各蒸发源的蒸发速率进行有效控制。

发明内容

本发明实施例提供一种蒸发源的蒸发速率控制设备、方法、装置及存储介质，以控制蒸发源的蒸发速率。

第一方面，本发明实施例提供了一种蒸发源的蒸发速率控制设备，包括：相连接的控制器和在线采集仪；

在线采集仪用于采集基板的镀膜参数，并将所述镀膜参数发送至所述控制器；

所述控制器，用于根据接收的镀膜参数生成加热功率调整量，并基于所述加热功率调整量对蒸发源的蒸发速率进行控制。

可选地，还包括：膜厚控制仪和采集部件；

所述采集部件，用于采集镀着第一目标镀膜元素所引起的振荡频率；

所述膜厚控制仪分别与所述控制器和所述采集部件连接，用于从采集部件获取振荡频率的变化量，根据所述变化量得到所述第一目标镀膜元素的厚度，并将所述第一目标镀膜元素的厚度发送至所述控制器；

所述控制器，用于根据所述镀膜参数和第一目标镀膜元素的厚度生成所述加热功率调整量。

可选地，所述采集部件包括探头、用于至少部分容纳所述探头的探头腔室以及与探头连接的振荡器；

所述探头，用于采集第一目标镀膜元素的分压；

连接于所述探头的所述振荡器，用于在所述第一目标镀膜元素的分压作用下，进行振荡。

可选地，所述采集部件的数量为至少两个；

所述采集部件的探头腔室与所述蒸发源间的距离在设定距离范围内。

可选地，还包括第一隔离组件；

所述第一隔离组件安装在CIGS腔室与所述探头腔室之间；

所述CIGS腔室用于容纳所述蒸发源；

其中，所述第一隔离组件用于切换所述探头腔室与所述CIGS腔室间的连通状态。

可选地，还包括：采样部件和离线采集仪；

所述采样部件，用于镀着第二目标镀膜元素；

所述离线采集仪分别与所述采样部件和控制器连接，用于采集所述采样部件上的镀膜采样参数，并发送至所述控制器；

所述控制器，用于根据接收的镀膜参数、第一目标镀膜元素的厚度和镀膜采样参数生成所述加热功率调整量。