[发明专利]OLED器件有效
申请号: | 201810368599.2 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108598110B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 邴一飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 器件 | ||
1.一种OLED器件,其特征在于,包括衬底基板(10)、设置于衬底基板(10)上的阳极层(21)、设于衬底基板(10)及阳极层(21)上的像素定义层(40)以及设于阳极层(21)上的有机功能层(22);
所述像素定义层(40)包括疏水堤坝层(41),所述疏水堤坝层(41)上设有呈阶梯状的多个台阶平台(411),所述疏水堤坝层(41)具有上表面及与上表面连接的侧面,所述多个台阶平台(411)均设于所述疏水堤坝层(41)的侧面,所述疏水堤坝层(41)通过所述多个台阶平台(411)在所述阳极层(21)上方定义出上宽下窄的像素开口区域(45),每一台阶平台(411)具有上表面及与上表面连接的侧面,每一台阶平台(411)的上表面上均设有亲水堤坝层(42),每一台阶平台(411)的侧面均属于疏水堤坝层(41)而具有疏水性,每一台阶平台(411)上表面上设置的亲水堤坝层(42)与有机功能层(22)直接相接触,每一台阶平台(411)的侧面与有机功能层(22)相接触;
所述有机功能层(22)通过喷墨打印的方式形成于所述像素开口区域(45)内。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述疏水堤坝层(41)具有三个台阶平台(411),分别为由下至上设置的第一台阶平台、第二台阶平台、第三台阶平台。
3.如权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层(22)包括由下至上依次设于所述阳极层(21)上的空穴注入层(221)、空穴传输层(222)及发光层(223);
所述第一台阶平台、第二台阶平台、第三台阶平台分别对应空穴注入层(221)、空穴传输层(222)及发光层(223)设置。
4.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述第一台阶平台的上表面比所述空穴注入层(221)的上表面在高度上低1-20nm,所述第二台阶平台的上表面比所述空穴传输层(222)的上表面在高度上低1-20nm,所述第三台阶平台的上表面比所述发光层(223)的上表面在高度上低1-20nm。
5.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述亲水堤坝层(42)的厚度为1-50nm。
6.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述阳极层(21)和亲水堤坝层(42)均由亲水性材料制作形成,所述疏水堤坝层(41)由疏水性材料制作形成。
7.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层(22)由油墨材料通过喷墨打印的方式制作形成;
所述疏水堤坝层(41)与形成有机功能层(22)的油墨材料的接触角为20-80°;
所述阳极层(21)和亲水堤坝层(42)与形成有机功能层(22)的油墨材料的接触角为0-10°。
8.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,为顶发射型OLED器件,还包括设于有机功能层(22)和像素定义层(40)上的阴极层。
9.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层(22)还包括由下至上依次设于所述发光层(223)上的电子传输层和电子注入层。
10.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述衬底基板(10)为玻璃基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的