[发明专利]OLED器件有效

专利信息
申请号: 201810368599.2 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN108598110B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 邴一飞 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;程晓
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 器件
【权利要求书】:

1.一种OLED器件,其特征在于,包括衬底基板(10)、设置于衬底基板(10)上的阳极层(21)、设于衬底基板(10)及阳极层(21)上的像素定义层(40)以及设于阳极层(21)上的有机功能层(22);

所述像素定义层(40)包括疏水堤坝层(41),所述疏水堤坝层(41)上设有呈阶梯状的多个台阶平台(411),所述疏水堤坝层(41)具有上表面及与上表面连接的侧面,所述多个台阶平台(411)均设于所述疏水堤坝层(41)的侧面,所述疏水堤坝层(41)通过所述多个台阶平台(411)在所述阳极层(21)上方定义出上宽下窄的像素开口区域(45),每一台阶平台(411)具有上表面及与上表面连接的侧面,每一台阶平台(411)的上表面上均设有亲水堤坝层(42),每一台阶平台(411)的侧面均属于疏水堤坝层(41)而具有疏水性,每一台阶平台(411)上表面上设置的亲水堤坝层(42)与有机功能层(22)直接相接触,每一台阶平台(411)的侧面与有机功能层(22)相接触;

所述有机功能层(22)通过喷墨打印的方式形成于所述像素开口区域(45)内。

2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述疏水堤坝层(41)具有三个台阶平台(411),分别为由下至上设置的第一台阶平台、第二台阶平台、第三台阶平台。

3.如权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层(22)包括由下至上依次设于所述阳极层(21)上的空穴注入层(221)、空穴传输层(222)及发光层(223);

所述第一台阶平台、第二台阶平台、第三台阶平台分别对应空穴注入层(221)、空穴传输层(222)及发光层(223)设置。

4.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述第一台阶平台的上表面比所述空穴注入层(221)的上表面在高度上低1-20nm,所述第二台阶平台的上表面比所述空穴传输层(222)的上表面在高度上低1-20nm,所述第三台阶平台的上表面比所述发光层(223)的上表面在高度上低1-20nm。

5.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述亲水堤坝层(42)的厚度为1-50nm。

6.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述阳极层(21)和亲水堤坝层(42)均由亲水性材料制作形成,所述疏水堤坝层(41)由疏水性材料制作形成。

7.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层(22)由油墨材料通过喷墨打印的方式制作形成;

所述疏水堤坝层(41)与形成有机功能层(22)的油墨材料的接触角为20-80°;

所述阳极层(21)和亲水堤坝层(42)与形成有机功能层(22)的油墨材料的接触角为0-10°。

8.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,为顶发射型OLED器件,还包括设于有机功能层(22)和像素定义层(40)上的阴极层。

9.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层(22)还包括由下至上依次设于所述发光层(223)上的电子传输层和电子注入层。

10.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述衬底基板(10)为玻璃基板。

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