[发明专利]基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5‑二氨基‑1,4‑苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；将有机无机杂化聚合物溶于有机溶剂，制备有机无机杂化聚合物饱和溶液；将有机无机杂化聚合物溶液涂于基底上，制备有机膜层；然后在有机膜层上制备电极，得到基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件；具有较好的高温稳定性，制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了三进制有机电存储行为，并且器件开启电压较低，其制备过程简单，通过改变中心金属离子，成功提高了电存储器件的三进制产率。

技术领域

本发明属于有机半导体材料技术领域，具体涉及一种基于一维有机无机杂化聚合物链材料的电存储器件及其制备方法。

背景技术

当今信息技术发展迅猛，尤其是互联网技术的快速发展，人类社会进入到信息爆炸时代，每天产生的信息量呈爆炸式增长。传统的光存储和磁存储技术由于其局限性，理论的存储极限值均无法满足未来信息存储的需求。在这样的背景下，有机电存储技术应运而生，三进制电存储技术的实现更是能够使信息存储容量实现巨量增长，对于信息存储技术的发展具有极大的意义。经过多年的科学研究，许多有机材料被作为活性层材料应用到有机电存储器件中，并且实现了三进制的存储行为。但是其存在的问题也逐渐暴露出来，器件的三进制比例较低，开启电压较高，另外有机分子对高温的稳定性较差。这些对于今后电存储器件走向实际应用是非常大的阻碍。因此，急需新的解决方案来解决上述的问题。

发明内容

针对目前有机电存储材料的制备过程复杂、器件三进制产率较低、开启电压较高、高温稳定性差等问题，本发明公开了一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法，其制备过程简单，材料高温稳定性好，器件开启电压较低，通过调节中心金属离子，成功实现三进制比例的提升，对于有机电存储技术的走向实用具有重要意义。

本发明采用如下技术方案：

一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）在0℃条件下，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH 值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；

（2）将有机无机杂化聚合物溶于有机溶剂，制备有机无机杂化聚合物饱和溶液；

（3）将有机无机杂化聚合物溶液涂于基底上，制备有机膜层；然后在有机膜层上制备电极，得到基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件。

本发明还公开了一种有机无机杂化聚合物饱和溶液的制备方法，包括以下步骤：

（1）在0℃条件下，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH 值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；所述二价金属盐为二氯化锌、五水合硫酸铜、六水合二氯化镍、二氯化铂或者二氯化钯；

（2）将有机无机杂化聚合物溶于有机溶剂，制备有机无机杂化聚合物饱和溶液。

本发明还公开了一种有机无机杂化聚合物的制备方法，包括以下步骤，在0℃条件下，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH 值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；所述二价金属盐为二氯化锌、五水合硫酸铜、六水合二氯化镍、二氯化铂或者二氯化钯。

本发明还公开了一种一维有机无机杂化聚合物膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在0℃条件下，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH 值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；