[发明专利]一种抗PID组件及其制备方法

权利要求书

1.一种抗PID组件，包括前板玻璃、第一封装层、至少一个光伏太阳能电池、第二封装层、背板和组件边框，其特征在于，所述前板玻璃与第一封装层之间和所述第二封装层与背板之间均设置有超薄二维电纳米材料层；

所述超薄二维电纳米材料层的侧边与所述组件边框连接设置。

2.根据权利要求1所述的一种抗PID组件，其特征在于，所述超薄二维电纳米材料层包括1-20层层状纳米材料层；所述层状纳米材料层厚度为0.01～5nm。

3.根据权利要求2所述的一种抗PID组件，其特征在于，所述层状纳米材料层由单层的层状纳米材料铺设而成。

4.根据权利要求3所述的一种抗PID组件，其特征在于，所述层状纳米材料为石墨烯、石墨烯氧化物、六方氮化硼、过渡金属硫化物、石墨氮化碳、黑磷、过渡金属氧化物、黑磷烯或层状双氢氧化物中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种抗PID组件，其特征在于，所述第一封装层和所述第二封装层均为切割好的EVA。

6.根据权利要求1所述的一种抗PID组件，其特征在于，所述超薄二维电纳米材料层的侧边通过导电复合胶与所述组件边框连接。

7.根据权利要求1所述的一种抗PID组件，其特征在于，所述超薄二维电纳米材料层敷设在前板玻璃的下表面和背板的下表面。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的一种抗PID组件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)在前板玻璃下表面和背板上表面敷设1-20层层状纳米材料层；

(2)将下表面敷设有超薄二维电纳米材料层的前板玻璃、第一封装层、光伏太阳能电池、第二封装层、上表面敷设有超薄二维电纳米材料层的背板，从上至下依次敷设；

(3)敷设后放入层压设备，根据第一封装层和第二封装层的材料调温至预设温度，层压预设时长；

(4)修边、安装组件边框并连接线盒。

9.根据权利要求8所述的一种抗PID组件的制备方法，其特征在于，层状纳米材料层的形成方法包括：

(1.1)取层状纳米材料粉末、分散剂和溶剂加入高速混合机混合均匀；

(1.2)加入高速离心机以25000-30000r/min的转速去除多层层状纳米材料，得到单层层状纳米材料分散液；

(1.3)将前板玻璃和背板用纯水、酸溶液、弱碱溶液或洗涤剂中的一种或多种组合进行清洗；

(1.4)取分散剂完全覆盖前板玻璃和背板表面，静置挥发1-20min或在一定温度下蒸干；

(1.5)将单层层状纳米材料分散液采用薄膜制备工艺敷设在步骤(1.4)中得到的前板玻璃下表面和背板上表面；

(1.6)甩离多余的单层层状纳米材料分散液，挥发溶剂。

10.根据权利要求8所述的一种抗PID组件的制备方法，其特征在于，层状纳米材料层的形成方法包括：

(1.1)在金属基底上CVD生长层状纳米材料层；

(1.2)用PMMA转移至前板玻璃下表面和背板上表面。

11.根据权利要求8所述的一种抗PID组件的制备方法，其特征在于，层状纳米材料层的形成方法包括：

(1.1)取层状纳米材料粉末、分散剂和溶剂加入高速混合机混合均匀；

(1.2)通过喷雾枪雾化石墨烯分散液；

(1.3)然后将雾化的小液滴喷洒到预热的基底上；

(1.4)待溶剂挥发，最后得到石墨烯薄膜。

12.根据权利要求8所述的一种抗PID组件的制备方法，其特征在于，层状纳米材料层的形成方法包括：

(1.1)在一定温度下，所述温度小于玻璃最高承受温度；

(1.2)将盖板玻璃放入CVD设备中；

(1.3)抽真空，通保护气，通碳源如甲烷

(1.4)所述盖板玻璃表面涂有催化剂，一般为金属颗粒；

(1.5)沉积一定时间即可得到超薄二维材料基盖板玻璃。