[发明专利]预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器及制备方法

权利要求书

1.预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器，其特征是，包括：

带预设空腔的SOI基片衬底和换能器堆叠结构；

所述预设空腔由侧壁的防护墙和底部的防护底围成，所述防护墙和所述防护底用来保证SOI基片衬底不被过度腐蚀；

所述换能器堆叠结构位于所述SOI基片衬底上、且与所述预设空腔相对；

所述换能器堆叠结构上设有贯穿换能器堆叠结构、且与所述预设空腔相通的至少一释放通道。

2.如权利要求1所述的预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器，其特征是：

所述防护墙和所述防护底采用不被刻蚀液或刻蚀气腐蚀的材料制作，所述刻蚀液或刻蚀气指空腔型谐振器制作过程中所采用的刻蚀液或刻蚀气。

3.如权利要求1所述的预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器，其特征是：

所述防护墙和所述防护底采用SiO₂或多晶硅制作。

4.如权利要求1所述的预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器，其特征是：

所述SOI基片衬底从下至上依次为底层硅、中间层、顶层硅；

所述预设空腔设于所述顶层硅上；

所述中间层构成预设空腔的防护底。

5.如权利要求1所述的预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器，其特征是：

所述换能器堆叠结构从下至上依次为底电极、压电薄膜层、顶电极；

所述释放通道贯穿底电极、压电薄膜层和顶电极。

6.权利要求1所述预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征是，至少包括：

(1)在SOI基片衬底上刻蚀出用来生长防护墙的沟槽，并露出SOI基片衬底所包含的中间层，所述中间层构成预设空腔的防护底；

(2)在SOI基片衬底上生长防护墙，使防护墙填满沟槽并覆盖SOI基片衬底上表面；

(3)去除覆盖于SOI基片衬底上表面的防护墙，使SOI基片衬底上表面露出；

(4)在SOI基片衬底上生长带至少一释放通道的换能器堆叠结构，换能器堆叠结构覆盖住由防护墙和防护底围成的空腔区域，释放通道贯穿换能器堆叠结构、且位于空腔区域上方；

(5)通过释放通道释放刻蚀液或刻蚀气，以腐蚀空腔区域，从而获得预设空腔。

7.权利要求6所述预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征是：

步骤(1)中，所述SOI基片衬底从下至上依次为底层硅、中间层、顶层硅，所述沟槽贯穿所述顶层硅。

8.权利要求6所述预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征是：

步骤(4)进一步包括：

在SOI基片衬底上表面生长底电极，底电极覆盖空腔区域，在底电极上刻蚀出至少一贯穿底电极、且位于空腔区域上方的通道；

在底电极上生长压电薄膜层，在压电薄膜层上刻蚀出与底电极上通道对应的至少一通道；

在压电薄膜层上生长顶电极，在顶电极上刻蚀出与压电薄膜层上通道对应的至少一通道；

底电极、压电薄膜层、顶电极上通道共同贯穿底电极、压电薄膜层和顶电极，该贯穿的通道即释放通道。