[发明专利]微流控芯片的加工方法

权利要求书

1.一种高度尺寸在2-200微米之间的微流控芯片的加工方法，所述方法包括以下步骤：

步骤1：利用光刻工艺，将绘制于掩模上的微流控芯片设计图案，以图形化的方式转移到模具基底上；当所述微流控芯片高度尺寸在2-50微米之间时，使用材料为硅、石英或玻璃的基片作为所述模具基底；当所述微流控芯片高度尺寸大于50微米时，使用材料为表面沉积金属薄膜的硅、石英或玻璃的基片作为所述模具基底；

步骤2：使用深刻蚀工艺对基底上没有被光刻胶保护的部分进行刻蚀，所述深刻蚀气体氛围是氩气和C4F8，整个刻蚀过程分成几十个循环，每个循环包含刻蚀，钝化，和冷却三个过程，形成基底模具；

步骤3：在所述基底模具上覆盖金属层，利用精密电铸工艺，加工出金属模具，所述金属模具的表面平整度在纳米量级，所述金属模具规格尺寸与光盘注塑机适配，被装配到传统光盘注塑机上；并且所述金属模具的侧壁倾角小于90度，利于注塑的微流道基片自动脱模；和

步骤4：在所述金属模具上，利用一体式光盘注塑技术，注塑得到微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述金属薄膜的厚度为2-10微米。

3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述金属薄膜材料为铝。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在所述基底模具上覆盖金属层为金属铬层或镍层。

5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述金属模具材料为镍。

6.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在所述基底模具上覆盖金属层通过蒸镀或溅射方式实现。