[发明专利]一种基于硅超表面太赫兹反射镜

说明书

一种基于硅超表面太赫兹反射镜，涉及光学元件。由介质块和二氧化硅衬底组成，所述介质块为立方体介质块，所述立方体介质块按周期性排列，每一立方体介质块的尺寸相同。所述立方体介质块宽度为170μm，周期为240μm。工作原理是入射波激发电介质米氏共振引起电场的强耦合效果，从而实现了宽带全部反射。对极化不敏感，TE和TM波入射均可达到相同的全反射效果，并且可以通过改变几何尺寸进行调整通过控制电磁波的传播实现对入射波全反射。结构简单，适用范围广泛，对入射波的极化方式不敏感，在光电器件设计等方面具有广泛的应用价值。

技术领域

本发明涉及宽带反射镜，尤其是涉及一种基于硅超表面太赫兹反射镜。

背景技术

传统的金属反射镜存在损耗较大、难以加工、价格昂贵等缺点，而人工超材料可以通过调节结构几何参数的方式使之实现自然材料所不具备的物理性质，并解决以上传统材料的问题，为宽带反射镜的设计提供了一个全新的方向。

目前，电磁超材料高效率反射镜主要有：

1、一种基于一维光子晶体反射器，有光子带隙结构，通过抑制某些频率电磁波的传播来实现在该频段上的全反射。

2、一种基于等离激元的布拉格反射器，依次按半导体-介质-半导体排列的亚波长结构，该结构所使用的半导体材料为锑化铟，介质材料则为交替出现的二氧化硅和多孔二氧化硅。根据相干相消的原理，实现太赫兹波段的全反射。

然而，这些反射镜存在难以制作、成本高、带宽窄、反射效率低等问题。

发明内容

本发明的目的在于克服上述反射镜的不足之处，提供与极化角不敏感的一种基于硅超表面太赫兹反射镜。

本发明由介质块和二氧化硅衬底组成，所述介质块为立方体介质块，所述立方体介质块按周期性排列，每一立方体介质块的尺寸相同。

所述立方体介质块可采用硅立方体介质块，所述立方体介质块的宽度、长度和厚度均为170μm，周期为240μm。

本发明的工作原理是：可以假设沿z方向传播的线极化入射波垂直照射表面，对于高介电常数介质谐振器，与入射电磁波的电场耦合可以被米氏共振激发，从电场分布可以看到，分别对应于0.5THz和0.585THz的磁共振和电共振的磁偶极子和电偶极子。磁共振可以形成数值较小的负的磁导率μ_eff,而电共振可形成数值较大的负的介电常数ε_eff，则在两个共振峰之间结构的特性阻抗几乎为0，即实现阻抗失配，从而实现全反射。

本发明的工作方法如下：

1)入射波：频率在0.5～0.585THz范围内的线极化波，正入射或斜入射到立方体介质块上。

2)反射波：由基于硅超表面太赫兹反射镜完全反射的入射波。

本发明所述基于硅超表面太赫兹反射镜可在滤波器、信号反射器等光电器件中有广泛应用。

本发明公开了一种基于硅超表面的太赫兹反射镜及其工作原理，本发明所述反射镜是由尺寸相同的硅介质块周期性排列构成；所述原理是入射波激发电介质米氏共振引起电场的强耦合效果，从而实现了宽带全部反射。本发明基于各向同性电磁超表面的太赫兹反射镜的反射对极化不敏感，TE和TM波入射均可达到相同的全反射效果，并且可以通过改变几何尺寸进行调整。本发明太赫兹反射镜通过控制电磁波的传播实现对入射波全反射。本发明结构简单，适用范围广泛，对入射波的极化方式不敏感，在光电器件设计等方面具有广泛的应用价值。

附图说明

图1是本发明实施例的结构示意图。

图2是本发明实施例的反射-频率曲线。

具体实施方式