[发明专利]包含带电磨料的抛光组合物有效
申请号: | 201810329068.2 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN109609035B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | A·米什拉 | 申请(专利权)人: | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;C09G1/02;H01L21/321 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 美国罗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 带电 磨料 抛光 组合 | ||
1.一种抛光组合物,包括
a)阳离子磨料,所述阳离子磨料包括氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化锆、其共形成产物或其混合物,其中所述阳离子磨料包括式(I)的端基:
-Om-X-(CH2)n-Y(I),
其中,m是1至3的整数;n是1至10的整数;X是Al、Si、Ti或Zr;Y是阳离子氨基或阳离子巯基;
b)酸或碱;和
c)水;
其中,所述抛光组合物具有2至7的pH,不含有阳离子聚合物,且不含卤化盐,以及
所述组合物具有去除多晶硅的第一速率、去除氮化硅的第二速率,且所述去除多晶硅的第一速率与所述去除氮化硅的第二速率的比为至少2:1。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物具有去除二氧化硅的第一速率、去除氮化硅的第二速率,且所述去除二氧化硅的第一速率与所述去除氮化硅的第二速率的比为至少2:1。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物具有去除多晶硅的第一速率、去除氮化硅的第二速率,且所述去除多晶硅的第一速率与所述去除氮化硅的第二速率的比为至少10:1。
4.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述阳离子磨料包括胶体氧化铝、胶体二氧化硅或胶体二氧化钛。
5.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述阳离子磨料包括阳离子胶体二氧化硅或碱固定化的非离子二氧化硅。
6.根据权利要求5所述的组合物,其中,所述二氧化硅通过原硅酸四甲酯的溶胶-凝胶反应制备。
7.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述阳离子磨料以基于所述组合物的总重量0.01重量%至50重量%的量存在于所述组合物中。
8.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述酸选自以下所组成的组:甲酸、乙酸、丙二酸、柠檬酸、丙酸、苹果酸、己二酸、琥珀酸、乳酸、草酸、羟基亚乙基二膦酸、2-膦酰基-1,2,4-丁烷三羧酸、氨基三亚甲基膦酸、六亚甲基二胺四(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺膦酸、氨基乙酸、过乙酸、苯氧基乙酸、甘氨酸、N-二(羟乙基)甘氨酸、二甘醇酸、甘油酸、三羟甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸、硝酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、膦酸、盐酸、高碘酸及其混合物。
9.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述碱选自以下所组成的组:氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铯、氢氧化铵、三乙醇胺、二乙醇胺、单乙醇胺、四丁基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、氢氧化锂、咪唑、三唑、氨基三唑、四唑、苯并三唑、甲苯三唑、吡唑、异噻唑及其混合物。
10.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述酸或碱以基于所述组合物的总重量0.0001重量%至30重量%的量存在于所述组合物中。
11.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述阳离子磨料具有1nm至5000nm的平均粒度。
12.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物具有0mV至+100mV的ζ电势。
13.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物具有0.01mS/cm至100mS/cm的电导率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造