[发明专利]重离子加速器用陶瓷真空管表面导电层配方及制备方法

权利要求书

1.重离子加速器用陶瓷真空管表面导电层材料配方，其特征在于：配方中的材料按质量百分比组成分别是金属50—60％、金属氧化物5-10％、非金属氧化物30-40％。

2.重离子加速器用陶瓷真空室表面导电层制备方法：其特征在于，该方法包含以下：

1)复合导体材料的配制：将金属钼或者钨其中一种、氧化铁和氧化锰、三氧化铝、二氧化硅、氧化钙、氧化镁烘干、称重后放入A—99陶瓷或聚氨酯球磨瓶中，加入硝棉溶液，料粉与硝棉溶液配比为1:1重量比，混磨72小时，过400目筛保存，A—95陶瓷粉的制做进过24h的单独研磨后加入复合材料中待用；

2)冷覆：清洗羊毛制作的排笔对陶瓷真空室内表面用配制好的导体材料膏体进行均匀刷涂，厚度为16—20μm，涂覆过程中涂覆层与两端封接的金属体连接；

3)焙烧：在1450℃以上的温度、整体360min强还原气氛中将涂覆有导体层的陶瓷真空室进行焙烧，焙烧开始后通入湿氢，在210min时停止通入湿氢；

4)后续加工：对陶瓷真空室内表面涂覆层存在的颗粒物用金刚石砂轮进行打磨，同时对打磨的粉粒清洗干净，待清洗干净后在涂覆层镀一层镍；

5)检测：可用万用表在陶瓷真空室两端进行电阻值测量，当电阻值较大时，可在导电层表面再涂覆一次膏体，并进行焙烧，导体层的厚度可用测厚仪进行检测。

3.如权利要求1所述的重离子加速器用陶瓷真空室表面导电层材料配方，其特征在于：所述的金属为钼或者钨其中一种。

4.如权利要求1所述的重离子加速器用陶瓷真空室表面导电层材料配方，其特征在于：所述的金属氧化物为氧化铁和氧化锰比例为：1∶5。

5.如权利要求1所述的重离子加速器用陶瓷真空室表面导电层材料配方，其特征在于：所述的三氧化铝与氧化钙与二氧化硅与氧化镁的比例为：1∶4∶2∶2。