[发明专利]硅基OLED微显示器的对位装置及制作系统在审
申请号: | 201810315763.3 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108441815A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 吴疆 | 申请(专利权)人: | 上海瀚莅电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/54;H01L51/56 |
代理公司: | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹丽 |
地址: | 202150 上海市崇明区横沙乡富民*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅基 掩膜板 对位 激光定位 对位装置 对位组件 微显示器 激光 产业化过程 高精度对位 激光对位 激光透过 人员成本 相对设置 制作系统 贯穿 | ||
本发明提供了一种硅基OLED微显示器的对位装置,其包括硅基底、对位组件以及位于所述硅基底下方的掩膜板,所述对位组件包括位于所述硅基底上方的对位激光和位于所述掩膜板下方的激光定位件,所述对位激光与所述激光定位件相对设置,所述硅基底上开设有贯穿所述硅基底的第一孔,所述掩膜板上对应开设有第二孔,以便所述对位激光透过所述第一孔和第二孔,与所述激光定位件进行激光对位,进而实现所述硅基底与所述掩膜板的高精度对位,而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单,可简化产业化过程。
技术领域
本发明涉及一种硅基OLED微显示器的对位装置及应用该对位装置的制作系统。
背景技术
硅基OLED微显示器的功耗低、对比度高、响应速度快,可实现高PPI(pixels perinch)和高刷新频率,广泛应用于头盔显示、立体显示和便携式显示等高端消费VR/AR领域。硅基OLED微显示器的背板为单晶硅,具有电子迁移率高,集成电路CMOS制程良率高等诸多优点。
传统玻璃基OLED器件在蒸镀过程中,蒸发源位于蒸镀腔室的底部,位于蒸镀腔室顶部的对位镜头通过抓取玻璃基底和掩膜板的对位点图案进行对位。因硅基背板为不透明基底,所以在蒸镀过程中,位于蒸镀腔室顶部的对位镜头无法透过硅基底抓取到掩膜板表面的对位点图案,从而无法进行对位。
有鉴于此,确有必要对现有的硅基OLED微显示器对位装置进行改进,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅基OLED微显示器的对位装置,该对位装置不仅能够实现硅基底与掩膜板的高精度对位,而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单,可简化产业化过程。
为实现上述目的,本发明提供了一种硅基OLED微显示器的对位装置,包括硅基底、对位组件以及位于所述硅基底下方的掩膜板,所述对位组件包括位于所述硅基底上方的对位激光和位于所述掩膜板下方的激光定位件,所述对位激光与所述激光定位件相对设置,所述硅基底上开设有贯穿所述硅基底的第一孔,所述掩膜板上对应开设有第二孔,以便所述对位激光透过所述第一孔和第二孔,与所述激光定位件进行激光对位。
作为本发明的进一步改进,所述第一孔的尺寸与所述第二孔的尺寸相同。
作为本发明的进一步改进,所述第二孔贯穿所述掩膜板设置。
作为本发明的进一步改进,所述第一孔与所述第二孔均通过刻蚀形成。
作为本发明的进一步改进,所述第一孔和所述第二孔均呈规则形状设置。
作为本发明的进一步改进,所述第一孔和所述第二孔均呈圆形设置。
作为本发明的进一步改进,所述第一孔开设于所述硅基底的两端边缘处,所述第二孔对应开设于所述掩膜板的两端边缘处。
作为本发明的进一步改进,所述对位激光为He-Ne(氦氖)气体激光器。
作为本发明的进一步改进,所述激光定位件的底部设有磁性底座。
本发明的目的还在于提供一种硅基OLED微显示器的制作系统,该制作系统不仅能够实现硅基底与掩膜板的高精度对位,而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单,可简化产业化过程。
为实现上述目的,本发明提供了一种硅基OLED微显示器的制作系统,包括蒸镀腔室、位于所述蒸镀腔室内的蒸发源以及前述硅基OLED微显示器的对位装置,所述硅基OLED微显示器的对位装置收容于所述蒸镀腔室内,且所述硅基底、所述掩膜板及所述对位激光均位于所述蒸发源的上方,所述激光定位件位于所述蒸发源的下方。
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