[发明专利]一种高光效、高色纯度的LED彩灯在审
| 申请号： | 201810305641.6 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108365076A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李阳;王焕良;曾小青 | 申请（专利权）人： | 浙江阳光美加照明有限公司;浙江阳光照明电器集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312300 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光粉 高色纯度 窄带发射 高光效 灯珠 宽带 蓝光 漂移 发光荧光粉 荧光粉胶层 彩色灯珠 封装支架 宽带发射 温度引起 色纯度 包覆 光效 窄带 带宽 发光 吸收 | ||
1.一种高光效、高色纯度的LED彩灯，包括灯珠，所述灯珠包括固定在封装支架上的LED蓝光芯片以及将LED蓝光芯片包覆住的荧光粉胶层，其特征在于：所述荧光粉包括窄带发射荧光粉和宽带发射荧光粉。
2.根据权利要求1所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述荧光粉胶层为单层，窄带发射荧光粉和宽带发射荧光粉共同混合在硅胶中涂覆形成。
3.根据权利要求1所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述荧光粉胶层为双层，分两次涂覆形成，窄带发射荧光粉和宽带发射荧光粉位于不同层的硅胶中。
4.根据权利要求3所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述两层荧光粉胶层中使用的硅胶折射率不同，折射率高的胶层位于下部，折射率低的胶层位于上部。
5.根据权利要求1所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述窄带发射荧光粉的发射带半高宽小于60nm，为线性发射或者为带状发射。
6.根据权利要求5所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述线性发射的窄带发射荧光粉采用Mn4+离子激发的红色氟化物荧光粉，所述Mn4+离子激发的红色氟化物荧光粉采用K2SiF6：Mn4+或者K2TiF6：Mn4+。
7.根据权利要求5所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述带状发射的窄带发射荧光粉采用Eu2+激发氮氧化物荧光粉或者采用Eu2+激发氮化物荧光粉，所述Eu2+激发氮氧化物荧光粉采用BaSi2O2N2:Eu蓝绿色荧光粉，或者采用β-Sialon:Eu绿色荧光粉，所述Eu2+激发氮化物荧光粉采用(Ca,Sr)LiAl3N4:Eu红色荧光粉。
8.根据权利要求1所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述宽带发射荧光粉的发射带半高宽大于60nm，为带状发射。
9.根据权利要求8所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述宽带发射荧光粉采用(Ba,Sr)2SiO4:Eu绿色荧光粉，或者Ba3Si6O12N2:Eu，或者Lu3Al5O12:Eu绿色荧光粉，或者Y3Al5O12:Ce黄色荧光粉，或者CaAlSiN3:Eu，或者(Ca,Sr)AlSiN3:Eu，或者(Ba,Sr,Ca)2Si5N8:Eu红色荧光粉。
10.根据权利要求1所述的一种高光效、高色纯度的LED彩灯，其特征在于：所述蓝光LED芯片包括蓝宝石基板，蓝宝石基板上沉积有N型-氮化镓铝层，N型-氮化镓铝层上沉积有氮化镓铝量子阱发光层，氮化镓铝量子阱发光层上沉积有P型-氮化镓铝层，N型-氮化镓铝层的上表面沉积有负电极，P型-氮化镓铝层的上表面沉积有正电极。
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