[发明专利]一种增加晶圆扫描面积的方法

说明书

本发明提供了一种增加晶圆扫描面积的方法，包括：收集晶圆的扫描数据建立数据库源；扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。在本发明提供的增加晶圆扫描面积的方法中，通过收集晶圆的扫描数据建立数据库源，在待测试晶圆的边缘区域的Die少于3个时，扫描边缘区域的Die与数据库源进行对比，对边缘区域的Die的扫描进一步确认晶圆的缺陷情况，从而增加了晶圆的扫描面积。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种增加晶圆扫描面积的方法。

背景技术

在半导体技术领域中，随着技术的不断发展，对于半导体器件的要求也越来越高，半导体制造工艺一般都包含数百个工艺步骤，只要其中的一个步骤出现问题，就会引起晶圆上整个半导体芯片的缺陷发生，严重的还可能导致整个芯片的失效。从而使得缺陷检测已经成为保证半导体芯片良率一项不可或缺的手段。

目前业界对于晶圆的的缺陷检测包括扫描测试，普遍会使用邻近单元像素比较的方法来捕获缺陷，从而可及时予以处理。但目前已有的扫描机台原理是通过Die与Die之间的对比来抓取缺陷，也就是与相邻的横向的两个Die进行对比，这就会出现：当位于晶圆的边缘区域的一排Die小于3个就无法进行缺陷扫描，需要将其排除(Mask)掉，最终这排Die没有缺陷信息，无法预知Die Yield情况，增加晶圆低产出率(wafer low yield)风险。如图1所示，为目前晶圆上Die之间进行对比查找缺陷的方法，目标Die通过其两侧的Die进行对比得出Die上的缺陷，也就是图1中下方图示出的缺陷。

因此，为了能够充分增加晶圆扫描的面积，确保晶圆缺陷的情况，如何提供一种晶圆扫描方法是本领域技术人员努力的方向。

发明内容

本发明的目的在于提供一种增加晶圆扫描面积的方法，以解决现有技术中对晶圆的边缘区域不便检测的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种增加晶圆扫描面积的方法，包括：收集晶圆的扫描数据建立数据库源；

扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，收集100片以上晶圆的扫描数据。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，针对100片以上晶圆的扫描数据进行分析整合建立数据库源。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，所述分析整合包括记录缺陷种类和缺陷位置。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，还包括：建立数据库源后，确认整合晶圆的缺陷情况。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，如果晶圆的缺陷情况不符合要求，则重新收集扫描数据。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，分多层扫描待测试晶圆的边缘区域的Die。

可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，通过光学和/电子扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比。

综上所述，在本发明提供的增加晶圆扫描面积的方法中，通过收集晶圆的扫描数据建立数据库源，在待测试晶圆的边缘区域的Die少于3个时，扫描边缘区域的Die与数据库源进行对比，对边缘区域的Die的扫描进一步确认晶圆的缺陷情况，从而增加了晶圆的扫描面积。

附图说明

图1是现有技术在晶圆扫描时邻近Die之间对比缺陷方法的示意图；

图2是现有技术在晶圆扫描时两种Die种类无法检测的示意图；

图3是现有技术在晶圆扫描时Die Mask减少扫描面积示意图；

图4是本发明的增加晶圆扫描面积的方法的流程图；