[发明专利]一种增加晶圆扫描面积的方法在审
| 申请号： | 201810291737.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108461414A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 韩俊伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 扫描 边缘区域 建立数据库 测试晶圆 扫描数据 数据库 | ||
【权利要求书】：
1.一种增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，所述增加晶圆扫描面积的方法包括：
收集晶圆的扫描数据建立数据库源；
扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。
2.根据权利要求1所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，收集100片以上晶圆的扫描数据。
3.根据权利要求2所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，针对100片以上晶圆的扫描数据进行分析整合建立数据库源。
4.根据权利要求3所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，所述分析整合包括记录缺陷种类、缺陷位置和/或缺陷概率。
5.根据权利要求3所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，所述增加晶圆扫描面积的方法还包括：在建立数据库源后，确认整合晶圆的缺陷情况。
6.根据权利要求5所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，如果晶圆的缺陷情况不符合要求，则重新收集扫描数据。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，分多层扫描待测试晶圆的边缘区域的Die。
8.根据权利要求1-6中任意一项所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，通过光学和/或电子扫描待测试晶圆的边缘区域的Die。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
