[发明专利]一种阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201810291039.1 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108461530B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 谭文;陈佳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和显示装置。该阵列基板,包括显示区以及位于所述显示区外围的非显示区,所述显示区包括多个像素结构,所述像素结构的引出线与连接走线搭接,所述连接走线用于接收信号提供电路提供的信号,且至少部分的所述连接走线与所述引出线的搭接面的面积大于对应的所述搭接面在所述阵列基板所在平面的正投影的面积。该阵列基板在边框进一步压缩需要压缩阴极搭接空间的情况下,通过采用凹凸结构的连接走线增大与引出线搭接,保证足够的连接走线与阴极的搭接面积,既实现了缩减边框平面空间,又避免了对阴极搭接面积的影响,保证了像素结构的光均一性,提高显示品质。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
主动矩阵有机电致发光二极管(Active-matrix Organic Light EmittingDiode,简称AMOLED)是目前兴起的一种高精度平板显示基板。
随着柔性显示(Flexible Display)窄边框(Narrow Bezel)技术的发展,边框空间的压缩对柔性AMOLED面板边框的阵列基板栅极驱动电路(Gate On Array,简称GOA)、开放式掩模板(Open mask)、阴影(Shadow)控制、喷墨打印((Ink Jet Print,简称IJP)位置精度控制、气相沉积掩模精度及工艺控制均提出了严格的要求。
随着边框空间压缩,阵列基板制备工艺中掩模精度提高和阴影减小越来越成为瓶颈,当边框进一步缩小时,通过电路布线(layout)优化可以在一定程度上缩小VSS电源的走线线宽以适应窄边框。但随着连接VSS电源的走线的线宽的缩小,导致走线电阻增大,影响显示品质。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足,提供一种阵列基板和显示装置,该阵列基板能在压缩边框的情况下,保证连接走线与阴极的搭接面积,从而提高显示品质。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板,包括显示区以及位于所述显示区外围的非显示区,所述显示区包括多个像素结构,所述像素结构的引出线与连接走线搭接,所述连接走线用于接收信号提供电路提供的信号,且至少部分的所述连接走线与所述引出线的搭接面的面积大于对应的所述搭接面在所述阵列基板所在平面的正投影的面积。
优选的是,所述引出线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域的延伸部分为镁/铝的叠层结构。
优选的是,所述连接走线和所述引出线在搭接区具有相互适配的凹凸结构。
优选的是,在所述连接走线与所述引出线搭接的区域还设置有绝缘层,所述绝缘层具有凹凸结构,所述连接走线位于所述绝缘层与所述引出线之间。
优选的是,所述绝缘层的凹凸结构,在平行于所述阵列基板所在平面的截面形状为包括分离条状、矩形、菱形、蜂窝状中的至少一种。
优选的是,所述像素结构包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极和漏极,所述连接走线与所述源极位于不同的层。
优选的是,所述连接走线采用与所述源极和所述漏极相同的材料形成。
优选的是,还包括驱动电路,所述驱动电路与所述绝缘层之间还设置有钝化层。
优选的是,在所述连接走线与所述引出线搭接的区域,还设置有位于所述连接走线和所述引出线之间的辅助连接线。
优选的是,所述辅助连接线与所述连接走线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域具有相互适配的凹凸结构。
优选的是,所述像素结构包括OLED器件,所述OLED器件至少包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的发光层,所述像素结构的引出线由所述阴极延伸而出。
优选的是,所述连接走线连接所述信号提供电路的低电平电压信号提供端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810291039.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的