[发明专利]一种有机电致发光显示器件有效
| 申请号: | 201810277460.7 | 申请日: | 2018-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN110323249B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 蔡凡 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示 器件 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种有机电致发光显示器件,该有机电致发光显示器件包括基板、设置于基板上的阳极以及设置于阳极背离基板一侧的有机发光层,还包括位于有机发光层发光路径中边缘区域的用于调节有机发光层射出的光线角度的光学调节层,有机发光层通过设置位于有机发光层发光路径中边缘区域的光学调节层,且有机发光层的折射率大于光学调节层的折射率,在不改变正视角下的光传输路径的情况下,增大了大视角下出射光线的偏移角度,改变了大视角下的光传输路径,进而在保证正视角色标准确的同时修正大视角下色坐标,从而减小大视角下色差。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种有机电致发光显示器件。
背景技术
目前顶发光有机电致发光显示屏(OLED)通常采用具有微腔结构的电致发光器件。微腔效应,是由多光束共振产生,表现为发光材料在谐振波长处的自发辐射得到增强,不在谐振波长处的自发辐射受到抑制。共振腔出光波长λ的数值与视角θ有关,当视角θ增加时,λ减小,出射光蓝移,强度减弱,因此顶发光OLED显示屏会出现大视角色差(JNCD)较大的问题。
发明内容
本发明提供了一种有机电致发光显示器件,上述有机电致发光显示器件能够在保证正视角色标准确的同时修正大视角下色坐标,从而减小大视角下色差。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种有机电致发光显示器件,包括基板、设置于所述基板上的阳极以及设置于所述阳极背离所述基板一侧的有机发光层,还包括位于所述有机发光层发光路径中边缘区域的用于调节所述有机发光层射出的光线角度的光学调节层,所述有机发光层的折射率大于所述光学调节层的折射率。
上述有机电致发光显示器件,包括基板、设置于基板上的阳极以及设置于阳极背离所述基板一侧的有机发光层,还包括位于有机发光层发光路径中边缘区域的用于调节有机发光层射出的光线角度的光学调节层,有机发光层的折射率大于光学调节层的折射率。该有机电致发光显示器件,通过设置位于有机发光层发光路径中边缘区域的光学调节层,且有机发光层的折射率大于光学调节层的折射率,在不改变正视角下的光传输路径的情况下,增大了大视角下出射光线的偏移角度,改变了大视角下的光传输路径,进而在保证正视角色标准确的同时修正大视角下色坐标,从而减小大视角下色差。
优选地,所述有机发光层包括多个用以发射光线的子像素单元,每个所述子像素单元背离所述基板的表面为用以射出光线的有效光射出区,所述有效光射出区之间存在的间隔区域为无效区,所述光学调节层在所述基板上的投影位于所述无效区在所述基板上的投影内,且所述光学调节层背离所述基板的表面高于所述有机发光层背离所述基板的表面。
优选地,还包括形成于所述有机发光层背离所述基板一侧的电子传输层以及形成于所述电子传输层背离所述有机发光层一侧的阴极;其中,
所述光学调节层位于所述有机发光层与所述电子传输层之间;和/或,
所述光学调节层位于所述电子传输层与所述阴极之间;和/或,
所述光学调节层位于所述阴极背离所述电子传输层的一侧。
优选地,还包括形成于所述阴极背离所述有机发光层一侧的光提取层,所述光提取层在所述基板上的投影覆盖所述有效光射出区在所述基板上的投影。
优选地,所述光提取层的折射率大于所述阴极的折射率。
优选地,所述光学调节层形成于所述光提取层背离所述有机发光层的一侧。
优选地,当所述光学调节层背离所述基板的表面高于所述电子传输层的表面时,形成于所述有机发光层与所述光学调节层背离所述基板的表面之间的膜层为中间膜层,所述有机发光层的折射率大于所述中间膜层的折射率且所述中间膜层的折射率大于所述光学调节层的折射率。
优选地,所述光学调整层的材料为氟化锂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





