[发明专利]显示装置及其阵列基板有效

专利信息
申请号: 201810275956.0 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108490666B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 韩约白;张嘉伟 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 阵列
【说明书】:

发明提供一种显示装置及其阵列基板,阵列基板包括呈阵列设置的多个像素单元,每一个像素单元包括遮光层、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线,扫描线沿第一方向设置,数据线沿第二方向设置,扫描线与数据线交叉,像素单元还包括触控信号线,触控信号线与扫描线位于同一层,在第二方向上的相邻两个触控信号线之间通过遮光层连接,触控信号线通过第一过孔与遮光层连接,触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接。本发明将遮光层作为相邻两个触控信号线之间的桥接线,通过触控信号线来传递触控信号,避免将触控信号的传输线直接设置在数据线所在的金属层上,造成数据线所在的金属层的密度过大而限制像素的大小,从而提升了开口率、降低功耗。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域,尤其涉及一种显示装置及其阵列基板。

背景技术

低温多晶硅面板借着其高分辨率、高迁移率、低功耗等诸多优点已成为了目前平板显示产品中的明星产品,被广泛应用在例如苹果、三星、华为、小米、魅族等各大手机及平板电脑上,由于低温多晶硅器件阵列工艺制程复杂,需要多次光罩(Mask),因此,在低温多晶硅制程中如果能够降低光罩使用次数将会有效的降低生产成本。在目前生产的In-CellTouch Panel工艺过程中,一般需要13次Mask,而为了节约成本,目前行业内通常使用M2传递触控信号,可实现9次Mask,但由于M2密度过大,将会造成开口率降低等问题。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提供一种显示装置及其阵列基板,能够提升整个显示装置的开口率、降低功耗。

本发明提出的具体技术方案为:提供一种阵列基板,所述阵列基板包括呈阵列设置的多个像素单元,每一个所述像素单元包括遮光层、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线,所述扫描线沿第一方向设置,所述数据线沿第二方向设置,所述扫描线与所述数据线交叉,所述像素单元还包括触控信号线,所述触控信号线与所述扫描线位于同一层,在第二方向上的相邻两个所述触控信号线之间通过所述遮光层连接,所述触控信号线通过第一过孔与所述遮光层连接,所述触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接。

进一步地,所述数据线覆盖所述触控信号线位于第二方向上的部分。

进一步地,所述触控信号线包括沿第二方向延伸的垂直部以及由所述垂直部的两端朝向第一方向弯折延伸出的水平部,所述数据线覆盖所述垂直部,所述水平部通过第一过孔与所述遮光层连接,所述水平部通过第二过孔与所述触控电极连接。

进一步地,所述水平部与所述扫描线平行。

进一步地,所述垂直部与所述扫描线垂直。

进一步地,所述触控信号线位于相邻两条扫描线之间。

进一步地,所述遮光层包括遮光部和桥接部,所述遮光部与所述薄膜晶体管对应,所述桥接部与所述水平部对应,所述桥接部通过第一过孔与所述水平部连接。

进一步地,所述薄膜晶体管为顶栅型。

进一步地,所述像素单元包括衬底、遮光层、缓冲层、多晶硅层、第一层间介质层、栅绝缘层、第一金属层、第二层间介质层、第二金属层、第三层间介质层及触控电极,所述第一金属层用于形成所述扫描线和所述触控信号线,所述第二金属层用于形成所述数据线。

本发明还提供了一种显示装置,所述显示装置包括如上任一所述的阵列基板。

本发明提出的阵列基板的像素单元包括还包括触控信号线,所述触控信号线与所述扫描线位于同一层,在第二方向上的相邻两个所述触控信号线之间通过所述遮光层连接,所述触控信号线通过第一过孔与所述遮光层连接,所述触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接,将遮光层作为相邻两个触控信号线之间的桥接线,通过触控信号线来传递触控信号,避免将触控信号的传输线直接设置在数据线所在的金属层上,造成数据线所在的金属层的密度过大而限制像素的大小,从而提升了开口率、降低功耗。

附图说明

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