[发明专利]一种光激发气敏传感测试系统的应用在审
| 申请号： | 201810274769.0 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108663406A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 叶小亮 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201100 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体测试 传感器 半导体测试仪 传感测试系统 宽带隙半导体 测试腔 光激发 金属氧化物半导体 应用 空穴 工作温度条件 紫外光光源 测试过程 测试气体 测试腔体 改变材料 感应电流 气敏元件 体内缺陷 吸附能力 响应性能 放入 吸附 光照 响应 引入 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种光激发气敏传感测试系统的应用，其特征在于，包括以下步骤：在室温下，将宽带隙半导体的传感器放入半导体测试仪的测试腔中，在半导体测试仪的测试腔中通入待测试气体，将紫外光光源靠近到半导体测试仪的测试腔体，同时将宽带隙半导体的传感器与半导体测试仪相连，通过半导体测试仪检测出感应电流的响应值的明显增大。
2.如权利要求1所述的一种光激发气敏传感测试系统的应用，其特征在于，所述的宽带隙半导体为氧化物和硫化物半导体。
3.如权利要求2所述的一种光激发气敏传感测试系统的应用，其特征在于，所述的宽带隙半导体为ZnO基半导体。
4.如权利要求3所述的一种光激发气敏传感测试系统的应用，其特征在于，所述的气敏传感器为ZnO基半导体传感器，其制成方法包括以下步骤：取ZnO纳米材料溶于去离子水中配置成溶液，将制备得到的悬浊溶液沉积在金属电极上，干燥后形成带有电极的探测器。
5.如权利要求1所述的一种光激发气敏传感测试系统的应用，其特征在于，所述的待测试气体为酒精气体或氧气或氢气或氨气。
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