[发明专利]晶圆处理方法

说明书

本发明提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：将待处理晶圆设置在卡盘上，所述待处理晶圆完成干法刻蚀；在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在所述待处理晶圆的正面通过氩气；通过顶针将所述待处理晶圆顶起；进行湿法刻蚀工艺。本发明提供的晶圆处理方法中，在待处理晶圆完成干法刻蚀后，在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在冷却晶圆的同时作为传递静电荷的载体清除待处理晶圆上的静电荷，在所述待处理晶圆的正面通入氩气带走晶圆表面的静电荷，然后通过顶针将所述待处理晶圆顶起，可改善动态对准偏移，防止动态对准偏移过大带来破片的风险，有效避免在湿法刻蚀中形成的球状缺陷，从而提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理方法。

背景技术

半导体制造技术需要在晶圆上进行多种不同的物理和化学工艺形成器件结构，晶圆通过是设置在卡盘上，其中刻蚀工艺是最重要的制程之一。刻蚀工艺又包括干法刻蚀和湿法刻蚀，主流的干法刻蚀通常会采用大功率、高等离子密度等蚀刻工艺条件去形成高刻蚀速率，从而获取高的晶圆产出额，在干法刻蚀工艺完成后刻蚀腔体及晶圆表面通常残留较多电荷。此外，如果刻蚀的是具有绝缘特性的膜层，会造成残留电荷难以释放或释放不充足。

当在干法刻蚀后进行湿法刻蚀，这些残留在晶圆局部表面的电荷在后续的湿法工艺中很容易吸附化学药液中的成分形成环形的球状缺陷，从而影响产品品质。

因此，如何提供一种晶圆处理方法以减少晶圆的缺陷是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆处理方法，解决在工艺中晶圆出现缺陷的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：将待处理晶圆设置在卡盘上，所述待处理晶圆完成干法刻蚀；在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在所述待处理晶圆的正面通过氩气；通过顶针将所述待处理晶圆顶起；进行湿法刻蚀工艺。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述顶针包括施力反馈装置和支撑端，所述施力反馈装置通过具有压力调节阀的压缩气体控制所述支撑端对于所述待处理晶圆顶起时的施力。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述支撑端包括三个支撑部，所述三个支撑部均匀分布将所述待处理晶圆顶起。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述施力反馈装置的施力为33Psi～70Psi。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述卡盘为静电吸附卡盘。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述晶圆处理方法还包括：在通入氦气以及氩气前，在静电卡盘上施加反向电压。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述氦气的流量为300sccm～1000sccm。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述氩气产生的压强为1torr～5torr。

可选的，在所述晶圆处理方法中，通入氦气以及通入氩气的时间为30S～50S。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述晶圆处理方法还包括：对所述待处理晶圆进行动态对准偏移检测，所述动态对准偏移小于4mm。

本发明提供的晶圆处理方法中，在待处理晶圆完成干法刻蚀后，在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在冷却晶圆的同时作为传递静电荷的载体清除待处理晶圆上的静电荷，在所述待处理晶圆的正面通入氩气带走晶圆表面的静电荷，然后通过顶针将所述待处理晶圆顶起，可改善动态对准偏移，防止动态对准偏移过大带来破片的风险，有效避免在湿法刻蚀中形成的球状缺陷，从而提高了产品良率。

附图说明

图1为本发明实施例的晶圆处理方法的流程图。

具体实施方式