[发明专利]石墨烯场效应晶体管

权利要求书

1.一种石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的第一栅电极、第二栅电极、第一栅介质层、第二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极；所述沟道层的材料包括AB堆垛双层石墨烯或者AB堆垛多层石墨烯；所述源电极和所述漏电极间隔分布于所述沟道层两侧；所述第一栅电极和所述第一栅介质层设置于所述沟道层的一侧，所述第二栅电极和所述第二栅介质层设置于所述沟道层的另一侧；

所述第一栅电极包括多个间隔设置的第一子电极以及将多个所述第一子电极电连接在一起的第一连接子电极；所述第一子电极的延伸方向与所述源电极和所述漏电极的间距方向交叉，所述第一连接子电极与所述沟道层在所述衬底上的投影无交叠；

所述第一子电极和所述第二栅电极用于向所述沟道层提供垂直于所述沟道层的纵向电场。

2.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第一子电极的延伸方向与所述源电极和所述漏电极的间距方向垂直。

3.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅电极中，各所述第一子电极的宽度相等，且任意相邻所述第一子电极之间的间距相等。

4.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅电极覆盖所述衬底。

5.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅电极由所述衬底充当，所述衬底导电。

6.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅电极包括相对设置的第一侧面和第二侧面；所述第一侧面在所述衬底上的投影被所述源电极在所述衬底上的投影覆盖，所述第二侧面在所述衬底上的投影被所述漏电极在所述衬底上的投影覆盖；

靠近所述衬底设置的所述第一栅电极或所述第二栅电极与所述衬底绝缘。

7.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅电极设置于所述源电极和所述漏电极之间的区域中；靠近所述衬底设置的所述第一栅电极或所述第二栅电极与所述衬底绝缘。

8.根据权利要求6或7所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述衬底为绝缘衬底。

9.根据权利要求7所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅电极呈块状，且所述第二栅电极与至少两个所述第一子电极在所述衬底上的投影重叠。

10.根据权利要求7所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅电极包括多个间隔设置的第二子电极以及将多个所述第二子电极电连接在一起的第二连接子电极；所述第二子电极的延伸方向与所述源电极和所述漏电极的间距方向交叉，所述第二连接子电极与所述沟道层在所述衬底上的投影无交叠，所述第二子电极与所述沟道层在所述衬底上的投影重叠；

所述第二栅电极与至少两个所述第一子电极在所述衬底上的投影重叠。

11.根据权利要求10所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述第二子电极的个数与所述第一子电极的个数相等且一一对应，一一对应的所述第一子电极和所述第二子电极在所述衬底上的投影重叠。

12.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述衬底的表面设置有凹槽；

所述第一栅电极靠近所述衬底设置；所述第一栅电极位于所述凹槽中且上表面与所述衬底的表面齐平。

13.根据权利要求6或7所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述衬底的表面设置有凹槽；

所述第二栅电极靠近所述衬底设置；所述第二栅电极位于所述凹槽中且上表面与所述衬底的表面齐平。

14.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底。