[发明专利]用于承载基板的承载装置及具有该承载装置的热退火设备在审
申请号: | 201810257782.5 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108461442A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 杨元隆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/324 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盖板 承载装置 顶针 针孔 承载平板 承载基板 热退火设备 玻璃基板背面 真空吸附固定 表面平齐 玻璃基板 分布位置 盖板掉落 轴向方向 上升时 针孔盖 | ||
本发明公开了一种用于承载基板的承载装置,承载平板,具有多个针孔;多个盖板,所述盖板设置于对应的所述针孔内,并且所述盖板的表面与所述承载平板的表面平齐;多个顶针,设置于所述承载平板之下,所述顶针能够沿着所述针孔的轴向方向上升或下降,以带动所述盖板上升或下降。本发明还公开了一种包括上述承载装置的热退火设备。本发明的用于承载基板的承载装置,使用多个盖板将承载平板上的针孔盖住,可改善由于针孔造成的玻璃基板背面出现明显亮暗不均的现象,盖板与顶针通过真空吸附固定,防止盖板掉落,通过设置顶针的分布位置可以增加玻璃基板上升时的稳定性。
技术领域
本发明属于设备制造技术领域,具体地讲,涉及一种用于承载基板的承载装置及具有该承载装置的热退火设备。
背景技术
由于TFT(薄膜晶体管)制程中的RTA(快速热退火)设备为高温制程且为传送(Conveyor)构造,玻璃基板不能在机台内被直接传送,所以玻璃基板在进入机台之后,被先放置在一石英板或者陶瓷板,即承载平板上,而后被传送进机台高温区进行制程。
在TFT制程中,由于制程温度通常为590℃,因此承载平板上的针孔(Pin Hole)不能过多,孔径也不能过大,这是因为针孔会造成玻璃基板背面出现明显的Mura(亮暗不均),从而影响产品的良率。
因此,如图1所示,在目前的承载平板1中,承载平板1的边缘周围具有16个针孔2,而承载平板1的中间部分具有4个针孔2,每个针孔2对应一根顶针(Pin)3。如此,当承载平板1在传送玻璃基板时,被顶针3托举的玻璃基板晃动严重,甚至可能会出现基板破片现象。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种可有效改善因针孔引起的玻璃基板亮暗不均、玻璃基板晃动的用于承载基板的承载装置及具有该承载装置的快速热退火设备。
为了达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
根据本发明的一方面,提供了一种用于承载基板的承载装置,包括:
承载平板,具有多个针孔;
多个盖板,所述盖板设置于对应的所述针孔内,并且所述盖板的表面与所述承载平板的表面平齐;
多个顶针,设置于所述承载平板之下,所述顶针能够沿着所述针孔的轴向方向上升或下降,以带动所述盖板上升或下降。
进一步地,所述顶针内具有真空吸孔,所述真空吸孔用于使所述顶针与所述盖板彼此真空吸附。
进一步地,所述真空吸孔包括彼此贯通的第一吸孔和第二吸孔,所述第二吸孔的孔径大于所述第一吸孔的孔径;所述第二吸孔的孔口在所述顶针与所述盖板真空吸附时与所述盖板接触。
进一步地,所述针孔包括彼此贯通的第一通孔和第二通孔,所述第二通孔位于所述第一通孔之上,并且所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径。
进一步地,所述第二通孔的孔径沿着远离所述第一通孔的方向逐渐增大。
进一步地,所述盖板包括小径板和大径板,所述大径板位于所述小径板之上,所述大径板的直径沿着远离所述小径板的方向逐渐增大,并且所述大径板的最小直径大于所述第一通孔的孔径。
进一步地,所述小径板的直径沿着远离所述大径板的方向逐渐减小,并且所述小径板的最大直径小于或等于所述第一通孔的孔径。
进一步地,所述大径板的最小直径大于所述小径板的最大直径。
进一步地,所述多个针孔均匀分布在所述承载平板内。
根据本发明的另一方面,还提供了热退火设备,包括上述的用于承载基板的承载装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造