[发明专利]一种高峰值功率的钬激光系统

权利要求书

1.一种高峰值功率的钬激光系统，其特征在于，在光路上依次设置有全反装置、激光增益介质、泵浦源、起偏器、电光调Q晶体、输出镜；

其中，所述电光调Q晶体为掺杂MgO的La₃Ga₅SiO₁₄晶体，制备该电光调Q晶体的原料包括MgO、La₂O₃、Ga₂O₃、SiO₂，各原料用量的摩尔百分比如下：

所述激光增益介质为Cr,Tm,Ho:YAG激光棒，该激光棒两端镀有2090nm波段的增透膜。

2.根据权利要求1所述的钬激光系统，其特征在于，所述制备电光调Q晶体的原料中，La₂O₃与SiO₂两者用量的摩尔比为3∶1。

3.根据权利要求1所述的钬激光系统，其特征在于，所述Cr,Tm,Ho:YAG激光棒的离子掺杂浓度如下：

Cr： 1.3-1.35mol％；

Tm： 5.8-5.85mol％；

Ho： 0.4-0.41mol％。

4.根据权利要求1所述的钬激光系统，其特征在于，所述泵浦源为包含聚四氟乙烯紧包腔的氙灯。

5.根据权利要求1所述的钬激光系统，其特征在于，所述起偏器为三层平行等距，且与光轴呈布鲁斯特角放置的白宝石片。

6.根据权利要求1所述的钬激光系统，其特征在于，所述输出镜镀有2090nm波段半透半反膜，该半透半反膜在2090nm波段透过率为10％-15％。

7.根据权利要求1所述的钬激光系统，其特征在于，所述电光调Q晶体的制备方法包括以下步骤：

1)按照规定用量称取MgO、La₂O₃、Ga₂O₃、SiO₂作为起始原料，其中，Ga₂O₃选用6N级别；

2)将起始原料充分混合均匀后压块，放入铂坩埚中，在900-1200℃下煅烧10-15个小时，由固相反应获得多晶料；

3)将多晶料放入铱坩埚中，将该铱坩埚置于刚玉坩埚中，在该刚玉坩埚中填充保温耐火材料，炉体密封，充入高纯氮气，并添加2％-5％的氧气；使用射频加热并充分熔化，熔化后在120℃-140℃范围内保温3-5个小时，随后采用提拉法进行生长，得到电光调Q晶体。