[发明专利]一种CVD方法制备多功能的镍掺杂二硫化钼原位电极有效
| 申请号： | 201810196377.7 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108517534B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;闫术芳;丁玉岳;孙小华;孙盼盼 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 方法 制备 多功能 掺杂 二硫化钼 原位 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法，其特征在于，具体制备方法为：在室温下，将氯化镍、氯化钼溶于乙醇溶液，其中氯化钼的浓度为360 mM，镍原子与镍原子加钼原子数目之和的比为10%，将碳纸浸泡该前躯液后取出，于热台上80℃干燥10 min；将有涂层的基底放入管式炉，通Ar气抽真空反复三次将管式炉内残余空气排出后，再通Ar气，流量为1 SCCM，管式炉上部放有1 g硫粉，随着管式炉内温度升高，硫粉蒸发形成硫蒸气，在Ar+S气氛下600℃反应1 h，自然冷却后取出即可，所制备的Ni掺杂二硫化钼原位电极的XRD，对比标准卡片，可知该样品为二硫化钼，说明镍拟掺入了二硫化钼中并未形成硫化镍。
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