[发明专利]压力传感器

说明书

本发明涉及压力传感器，能够检测从用于导入测定对象的压力的配管传递到压力传感器的检测部的热的变动。通过温度差计算部(107)求出由第1温度测定机构(103)测定出的温度与由第2温度测定机构(106)测定出的温度的温度差。第1温度测定机构(103)设置于内侧容器(201)的元件配置侧(201b)的外侧壁面。第2温度测定机构(106)设置于加热器(104)的外侧周面，加热器(104)设置于收容内侧容器(201)的外侧容器(202)的外侧壁面。

技术领域

本发明涉及一种压力传感器，特别涉及一种具备检测设备的压力传感器，该检测设备包括受到来自流体的压力而进行位移的隔膜。

背景技术

关于静电电容式的隔膜真空计等压力传感器，将包括隔膜的检测设备安装于流过作为测定对象的气体的配管等，将受到压力的隔膜的挠曲量即位移变换成静电电容值，根据静电电容值而输出压力值。该压力传感器由于气体种类依赖性小，所以，在以半导体设备为主的工业用途中广泛使用(参照专利文献1、专利文献2)。

如图6所示，上述隔膜真空计等压力传感器的检测设备具有受到来自测定对象的压力的隔膜302以及在俯视时在中央具有凹部并且具有支承隔膜302的支承部301a的基座301。隔膜302与基座301形成电容室303。由支承部301a支承的隔膜302中的与基座301间隔开的可动区域302a能够在基座301的方向上进行位移。隔膜302和基座301例如由蓝宝石等绝缘体构成。

另外，压力传感器的检测设备具备形成于隔膜302的可动区域302a的可动电极304以及形成于基座301之上并与可动电极304相面对的固定电极305。另外，压力传感器的检测设备具备在隔膜302的可动区域302a中形成于可动电极304的周围的可动参照电极306以及形成于固定电极305的周围的基座301之上并与可动参照电极306相面对的固定参照电极307。

上述压力传感器的检测设备要求针对在安装有压力传感器的装置中使用的气体的耐腐蚀性，并且还要求针对在成膜等工艺中产生的副生成物的耐性。另外，在成膜工艺中，在工艺中生成的副生成物沉积于成膜室内壁、配管内壁、真空泵内部以及作为压力传感器的受压部的隔膜等暴露于原料气体的部位。例如，如图6所示，副生成物321沉积于隔膜302之上。

例如，关于在栅极绝缘膜等的形成中使用的原子层沉积法(ALD)，在特性上，副生成物沉积在暴露于原料气体的各个部位。为了防止这样的副生成物的沉积，例如在成膜动作等时候，将副生成物容易沉积的成膜装置的各部分加热到例如200℃左右。

例如，在压力传感器侧，对检测设备进行加热来抑制副生成物的沉积。另外，在成膜装置侧，将加热器设置于用于对压力传感器的隔膜导入压力的配管部，同样地进行加热。

但是，压力传感器针对温度变化，也具有灵敏度(温度特性)(参照非专利文献1)。因此，通常在组装压力传感器之后评价温度特性，为了减小温度变化的影响，调整计测电路之后发货，该计测电路基于对检测设备进行加热的温度来校正压力传感器的输出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006－003234号公报

专利文献2：日本特开2014－109484号公报

非专利文献

非专利文献1：市田俊司其他，“SPS 300インテリジェント圧力センサーの開発”，Savemation Review，vol.9，no.1，pp.8-14，1991年。

发明内容

发明要解决的技术问题