[发明专利]一种显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201810189580.1 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN108511621B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 王品凡;谢明哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;夏东栋 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括:
基板;
依次形成在所述基板上的薄膜晶体管、图案化平坦层和显示器件层,所述显示器件层包括像素限定层,所述像素限定层限定多个像素区域,每个像素区域中设置有显示器件,每个显示器件包括靠近所述薄膜晶体管的一侧的第一电极、中间层和所述薄膜晶体管的相对侧上的第二电极;
以及薄膜封装层,用于封装多个所述显示器件,其特征在于,所述薄膜封装层设置在所述第二电极上,在所述像素限定层与各个显示器件之间设置有无机阻挡层,所述无机阻挡层被配置为阻挡来自所述像素限定层的水气侵入所述显示器件;
在所述基板上形成有不连续的缓冲层,所述缓冲层以不连续的方式形成在所述基板的上表面的对应于所述薄膜晶体管的部分上;
栅极绝缘层形成在所述薄膜晶体管的有源层上;
层间介电层形成在所述薄膜晶体管的栅电极和所述栅极绝缘层上,被配置为使所述薄膜晶体管的源电极和所述薄膜晶体管的漏电极与所述栅电极绝缘;
其中,所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间介电层均采用不同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板包括显示承载部和用于将显示部互联的可拉伸的桥接部,所述显示承载部被配置为在其上依次形成所述薄膜晶体管、图案化平坦层和显示器件层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管形成在所述缓冲层上。
4.根据权利要求1-3中任何一项所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层独立地封装各个像素区域中的显示器件的第二电极。
5.根据权利要求1-3中任何一项所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层跨多个像素区域封装其中的多个显示器件的第二电极。
6.根据权利要求1-3中任何一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示器件包括有机发光二极管器件。
7.根据权利要求1-3中任何一项所述的显示面板,其特征在于,相邻的所述无机阻挡层是连续形成的。
8.根据权利要求1-3中任何一项所述的显示面板,其特征在于,所述无机阻挡层至少包覆所述中间层和所述第二电极的暴露于所述像素限定层的表面。
9.一种显示面板的制造方法,包括:
在柔性基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成图案化平坦层;
在所述图案化平坦层上形成像素限定层和其限定的各个像素区域中的显示器件,各个显示器件包括靠近所述薄膜晶体管的一侧的第一电极、中间层和所述薄膜晶体管的相对侧上的第二电极;以及
在所述显示器件的第二电极上形成薄膜封装层,其特征在于,
在柔性基板上形成缓冲层的步骤包括:在柔性基板上以不连续方式形成所述缓冲层,其中,所述缓冲层以不连续的方式形成在所述柔性基板的上表面的对应于所述薄膜晶体管的部分上,以及
在所述图案化平坦层上形成像素限定层和显示器件的步骤包括:
在所述图案化平坦层上形成各个显示器件的所述第一电极;
在所述图案化平坦层上涂布光刻胶层,通过曝光显影形成开有通孔的像素限定层,并使得所述第一电极位于所述通孔的底部;
在所述像素限定层的通孔的侧壁和所述像素限定层的上表面形成无机阻挡层;
在所述第一电极上依次形成中间层和所述第二电极;
在所述薄膜晶体管的有源层上形成栅极绝缘层;
在所述薄膜晶体管的栅电极和所述栅极绝缘层上形成层间介电层,被配置为使所述薄膜晶体管的源电极和所述薄膜晶体管的漏电极与所述栅电极绝缘;
其中,所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间介电层均采用不同的材料。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在所述显示器件的第二电极上形成薄膜封装层的步骤中,所述薄膜封装层独立地形成在所述像素限定层中的通孔对应的所述第二电极上,或者所述薄膜封装层跨所述像素限定层中的多个通孔形成在其所对应的多个第二电极上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810189580.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择