[发明专利]具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件

权利要求书

1.一种用于处理基底的方法，包括：

提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区；

执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造以形成包括在介电表面区上的金属的结构；

该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造的工艺形成的；并且

该结构是在该特征之后形成的。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在执行自组装单分子膜辅助构造之前用保护层涂覆基底上的该特征的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中包括金属的该结构包括从由迹线和衬垫组成的组中选择的至少一个结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该特征包括从由迹线、衬垫、有源器件和无源器件组成的组中选择的至少一个部件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该特征包括天线，其中该天线包括定位在该基底的内部部分中的贴片天线段，并且其中该结构包括远离贴片天线段隔开一段距离的寄生贴片段。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该特征包括第一天线段和与该第一天线段间隔开的第二天线段，并且形成该结构以包括定位于第一天线段和第二天线段之间的连接区段。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该特征进一步包括与第二天线段间隔开的第三天线段，以及与第三天线段间隔开的第四天线段。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该连接区段是第一连接区段，并且形成该结构以进一步包括定位于第二天线段和第三天线段之间的第二连接区段。

9.根据权利要求8所述的方法，包括形成该结构以进一步包括定位于第三天线段和第四天线段之间的第三连接区段。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中形成自组装单分子膜（SAM）辅助构造包括：

使用激光图案化来活化介电表面区的一部分；

通过执行水解来修饰活化部分以形成富羟基区域；

将自组装单分子膜耦合至富羟基区域；

将催化剂耦合至自组装单分子膜；以及

将金属耦合至包括耦合于其的催化剂的自组装单分子膜。

11.根据权利要求10所述的方法，其中将金属耦合至包括耦合于其的催化剂的自组装单分子膜包括执行无电沉积。

12.一种用于处理基底的方法，包括：

提供包括第一区和第二区的基底，该第一区包括管芯场，该管芯场包括多个衬垫；

执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造以形成包括在第二区上的金属的结构；并且

管芯场中的衬垫是使用不同于用来形成包括在第二区上的金属的该结构的SAM辅助无电构造的工艺形成的。

13.根据权利要求12所述的方法，包括将包括金属的该结构配置成电气耦合至管芯场中的至少一个衬垫。

14.根据权利要求12-13中的任一项所述的方法，其中该结构被形成为包括从迹线和衬垫中选择的多个部件。

15.一种电子器件，包括：

定位在基底的第一部分上的特征，该特征包括导电区；

定位在基底的第二部分上的结构，该结构包括定位在基底上的自组装单分子膜（SAM）上的金属，其中该SAM被定位在金属和基底之间；

该结构电气耦合至该特征；并且

其中在其之间不存在SAM的情况下将该特征定位在基底上。

16.根据权利要求15所述的器件，其中该特征包括从由迹线、衬垫、有源器件和无源器件组成的组中选择的至少一个特征。