[发明专利]一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810164824.0 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108558405B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 白秋云 | 申请（专利权）人： | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 薛波 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 纯度 碳化硅 衬底 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1、β-碳化硅和α-碳化硅混合，其中β-碳化硅占β-碳化硅和α-碳化硅质量之和的1-15%；
S2、将步骤S1所得原料置于球磨机内进行混料24小时，然后将粉末取出，过筛后将粉末置于模具中进行热压烧结，烧结时先将温度升高到1200～1300℃，升温速度控制在5～10℃/min，保温30～40min，然后再将温度升高到1500～1600℃，保温并开始加压，以2～3MPa/min的速度缓慢加压，当压力达到20MPa时，开始保压，30～35min后缓慢释放压力，等泄压完成，结束保温，开始以10～15℃/min的降温速度进行冷却，制得所述高致密度高纯度6H-碳化硅。
2.根据权利要求1所述的高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法，其特征在于，步骤S1所述β-碳化硅的加入量为α-碳化硅和β-碳化硅总质量的5-10%。
3.根据权利要求1所述的高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法，其特征在于，步骤S2所述热压烧结过程在真空石墨炉中进行。
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