[发明专利]功率放大电路

说明书

本发明提供一种功率放大电路，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

在搭载于便携式电话等移动通信设备的功率放大电路中，一般作为放大器而使用双极晶体管。双极晶体管具有如下的热的正反馈特性，即，当元件的温度上升时，集电极电流增加，由此温度进一步上升，从而集电极电流进一步增加。因此，为了抑制由温度上升造成的集电极电流的增加，例如，已知有在双极晶体管的基极与基极偏置电压供给端子之间插入电阻元件(以下，也称为镇流电阻。)的结构。在该结构中，通过镇流电阻中的电压降，基极电流的增加被抑制，因此集电极电流的增加也被抑制。

在具备镇流电阻的结构中，当基极电流随着输入信号的功率水平的增大而增加时，镇流电阻中的电压降变大，因此基极电压下降。由此，集电极电流的振幅不跟随基极电流的振幅，功率增益下降，放大器的线性可能会劣化。为了抑制该线性的劣化，例如，在专利文献1中公开了在信号输入端子与基极偏置电压供给端子之间设置了电容元件的功率放大器。根据该结构，能够将从信号输入端子供给的功率传递到基极偏置电压供给端子。因此，可抑制基极电压的下降，可改善线性。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-324325号公报

但是，在专利文献1公开的结构中，连接在信号输入端子与基极偏置电压供给端子之间的电容元件可能成为从信号输入端子观察到的匹配电路的一部分。即，存在该电容元件对放大器的输入阻抗和该放大器的前级的电路的输出阻抗的匹配造成影响这样的问题。

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性的功率放大电路。

用于解决课题的技术方案

为了达成这样的目的，本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备：放大晶体管，在基极或栅极被供给输入信号，并从集电极或漏极输出将输入信号进行了放大的放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，串联连接在放大晶体管的基极或栅极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路，生成第一直流电压；第一晶体管，在基极或栅极被供给第一直流电压，并从发射极或源极经由第一电阻元件对放大晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极或栅极被供给第二直流电压，发射极或源极与第一晶体管的发射极或源极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极或栅极与第二晶体管的基极或栅极之间，且该信号供给电路对第二晶体管的基极或栅极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极或栅极与第二晶体管的基极或栅极之间。

发明效果

根据本发明，能够提供一种在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性的功率放大电路。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。

图2A是示出比较例中的输入功率Pin与电压Vbias′的关系的样子的曲线图。

图2B是示出比较例中的增益特性的样子的曲线图。