[发明专利]功率放大电路有效
| 申请号: | 201810160395.X | 申请日: | 2018-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN108512515B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
| 发明(设计)人: | 本多悠里;播磨史生;田中聪 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/21 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵琳琳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
1.一种功率放大电路,具备:
放大晶体管,在基极或栅极被供给输入信号,并从集电极或漏极输出将所述输入信号进行了放大的放大信号;
偏置电路,对所述放大晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压;
第一电容器,一端与输入端子连接,另一端与所述放大晶体管的基极或栅极连接;以及
第一电阻元件,串联连接在所述放大晶体管的基极或栅极与所述偏置电路之间,
所述偏置电路具备:
电压生成电路,生成第一直流电压;
第一晶体管,在基极或栅极被供给所述第一直流电压,并从发射极或源极经由所述第一电阻元件对所述放大晶体管的基极或栅极供给所述偏置电流或电压;
第二晶体管,在基极或栅极被供给第二直流电压,发射极或源极与所述第一晶体管的发射极或源极连接;
信号供给电路,设置在所述放大晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管的基极或栅极之间,且该信号供给电路对所述第二晶体管的基极或栅极供给所述输入信号;以及
阻抗电路,设置在所述第一晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管的基极或栅极之间。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路,其中,
所述阻抗电路包括:第二电阻元件,一端与所述第一晶体管的基极或栅极连接,另一端与所述第二晶体管的基极或栅极连接,
从所述第二电阻元件的所述另一端输出所述第二直流电压。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路,其中,
所述信号供给电路包括:电容器,串联连接在所述放大晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管的基极或栅极之间。
4.根据权利要求3所述的功率放大电路,其中,
所述信号供给电路还包括:第三电阻元件,与所述电容器串联连接。
5.根据权利要求1或2所述的功率放大电路,其中,
所述偏置电路还具备第三晶体管,
在所述第三晶体管中,集电极或漏极与基极或栅极连接,集电极或漏极与所述第一晶体管以及所述第二晶体管的发射极或源极连接,在发射极或源极被供给第三直流电压。
6.根据权利要求5所述的功率放大电路,其中,
所述电压生成电路还具备被串联连接的第四晶体管以及第五晶体管,
在所述第四晶体管中,集电极或漏极与基极或栅极连接,从集电极或漏极输出所述第一直流电压,
在所述第五晶体管中,集电极或漏极与基极或栅极连接,发射极或源极被接地,
所述第三晶体管的发射极或源极与所述第五晶体管的基极或栅极连接。
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