[发明专利]一种TiZn合金膜及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201810156892.2 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108396290B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 闫兰琴;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C22C18/00;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tizn 合金 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种TiZn合金膜，其特征在于，所述TiZn合金膜包括纳米柱结构，所述TiZn合金膜中Ti与Zn的原子比为0.16Ti/Zn原子比0.41；
所述TiZn合金膜采用以下方法进行制备，所述制备方法包括：在介质膜上制备所述TiZn合金膜；
所述介质膜为氟化镁介质膜。
2.根据权利要求1所述的TiZn合金膜，其特征在于，所述TiZn合金膜由纳米柱结构组成。
3.根据权利要求1所述的TiZn合金膜，其特征在于，所述TiZn合金膜由在水平面排列成阵列的竖直纳米柱结构组成。
4.根据权利要求1所述的TiZn合金膜，其特征在于，所述纳米柱的直径为30nm-60nm。
5.根据权利要求1所述的TiZn合金膜，其特征在于，所述纳米柱的高度为50nm-200nm。
6.根据权利要求1所述的TiZn合金膜，其特征在于，所述纳米柱的间距为5nm-20nm。
7.根据权利要求1-6任一项所述TiZn合金膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在介质膜上制备所述TiZn合金膜，所述介质膜为氟化镁介质膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述介质膜的厚度为50nm-400nm。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，制备所述TiZn合金膜的方法为以Ti靶和Zn靶作为溅射源，进行射频共溅射。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射在磁控溅射系统中进行。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的背景真空度≥10-7torr。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的工作气体为氩气。
13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述Ti靶的纯度在99.999％以上。
14.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述Zn靶的纯度在99.999％以上。
15.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的过程中，Ti靶的射频功率为60w-110w。
16.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的过程中，Zn靶的射频功率为100w-150w。
17.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的过程中，沉积时间15min。
18.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的过程中介质膜温度为20℃-30℃。
19.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述射频共溅射的过程中工作气压为3mtorr-10mtorr。
20.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述介质膜镀于衬底上。
21.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括非晶衬底或单晶衬底。
22.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述非晶衬底包括玻璃。
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