[发明专利]氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板

权利要求书

1.压接结构用氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，所述晶界相含有稀土元素、镁、钛和铪中的一种以上，压接结构用氮化硅基板的剖面组织中，氮化硅晶粒的长径的平均粒径为1.5～10μm，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对于氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，与绝缘强度的平均值的偏差为20％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法对基板的对角线彼此的交点以及成为自交点至各自角部的中点的4个部位的合计5个部位测量时的绝缘强度的平均值。

2.根据权利要求1所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，绝缘强度的偏差为15％以下。

3.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，绝缘强度的平均值为15kv/mm以上。

4.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，在室温25℃施加1000V时的体积电阻率值为60×10¹²Ωm以上。

5.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，在250℃施加1000V时的体积电阻率值ρv2与在室温25℃施加1000V时的体积电阻率值ρv1的比(ρv2/ρv1)为0.20以上。

6.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，当将在50Hz的相对介电常数设为ε_r50，将在1kHz的相对介电常数设为ε_r1000时，(ε_r50-ε_r1000)/ε_r50≤0.1。

7.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，在将压接结构用氮化硅基板的厚度方向的剖面通过放大照片进行观察时，晶界相的最大长度为50μm以下。

8.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，压接结构用氮化硅基板的孔隙率为3％以下。

9.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，在将压接结构用氮化硅基板的任意的表面或剖面通过放大照片进行观察时，孔隙的最大直径为20μm以下。

10.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，在将压接结构用氮化硅基板的任意剖面通过放大照片进行观察时，孔隙的最大直径为20μm以下，在孔隙周长的10％以上存在晶界相成分。

11.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，在观察压接结构用氮化硅基板的任意剖面时，晶界相中的偏析区域的最大长度为5μm以下。

12.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，压接结构用氮化硅基板的厚度T1为0.1～1.0mm。

13.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，晶界相的面积率20％以上为结晶化合物相。

14.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，压接结构用氮化硅基板的厚度T1为0.15～0.25mm。

15.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，压接结构用氮化硅基板的导热率为80W/m·k以上。

16.根据权利要求1或2所述的压接结构用氮化硅基板，其特征在于，压接结构用氮化硅基板的导热率为80W/m·k以上，在250℃施加1000V时的体积电阻率值ρv2与在室温25℃施加1000V时的体积电阻率值ρv1的比(ρv2/ρv1)为0.20以上。