[发明专利]紫外发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810144122.6 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108269903A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 卓昌正;陈圣昌;邓和清 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光层 量子阱 紫外发光二极管 调变层 外延结构 缓冲层 翘曲 表面温度均匀性 发光波长 晶格常数 均匀性 量子井 调变 制作 生长 引入 | ||
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括：
缓冲层；
n型层，位于所述缓冲层上；
量子阱发光层，位于所述n型层上；以及
p型层，位于所述量子阱发光层上；
所述紫外发光二极管还包括应力调变层，其位置包括位于所述n型层内、位于所述n型层及所述量子阱发光层之间以及位于所述量子阱发光层内中的一种；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述应力调变层的材料包含AlxGayIn1-x-yN，其中x≥70％，y≥0，x+y≤1。
3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述量子阱发光层的发光波长介于210nm～320nm之间。
4.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述应力调变层用以减小所述紫外发光二极管外延结构的凸翘曲。
5.根据权利要求4所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述缓冲层包含AlN层，所述n型层包含n型AlGaN层。
6.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述应力调变层为单一组分层结构，其厚度介于一个原子层厚度至100nm之间。
7.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述应力调变层直接接触所述n型层与所述量子阱发光层。
8.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述应力调变层为n型掺杂，其掺杂浓度为1×1017～5×1019cm-3。
9.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述紫外发光二极管还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述量子阱发光层与所述p型层之间。
10.一种紫外发光二极管的制作方法，其特征在于，包括步骤：
1)提供一衬底，于所述衬底上形成缓冲层以及n型层，所述缓冲层及所述n型层具有翘曲；
2)于所述n型层上形成应力调变层，以调变所述缓冲层及所述n型层的翘曲；
3)于所述应力调变层上形成量子阱发光层；以及
4)于所述量子阱发光层上形成p型层；
其中，所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成。
11.根据权利要求10所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：所述应力调变层的材料包含AlxGayIn1-x-yN，其中x≥70％，y≥0，x+y≤1。
12.根据权利要求11所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：所述应力调变层的晶格常数藉由生长通入的Al源、Ga源及In源的流量控制。
13.根据权利要求10所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：所述量子阱发光层的发光波长介于210nm～320nm之间。
14.根据权利要求10所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤2)中，所述应力调变层的生长温度介于1100℃～1300℃之间。
15.根据权利要求10所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤1)所述缓冲层及所述n型层的翘曲为凸翘曲，步骤2)所述应力调变层用以减小缓冲层及所述n型层的所述凸翘曲。
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