[发明专利]基于OTDR的光子晶体光纤环熔点反射强度确定方法

权利要求书

1.一种基于OTDR的光子晶体光纤环熔点反射强度确定方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：在光子晶体光纤左侧熔接波导用传统保偏光纤；

步骤2：在光子晶体光纤右侧熔接波导用传统保偏光纤；

步骤3：使用光纤切割刀对右侧传统保偏光纤的未熔接端进行切割，得到与光传播方向垂直的光纤解理面；

步骤4：将左侧传统保偏光纤与光纤跳线连接；

步骤5：从光纤跳线未连接端对光纤中背向反射点进行测量，得到背向反射光强测量曲线；

步骤6：从测量曲线中读取各极大值点对应的纵坐标值，得到熔点正向反射相对强度I′₁、反向反射相对强度I′₂和解理面菲涅尔反射相对强度I′₀；

步骤7：根据光纤折射率和空气折射率，计算得到解理面菲涅尔反射绝对强度I₀；

步骤8：根据熔点正向反射相对强度I′₁、解理面菲涅尔反射相对强度I′₀和步骤7计算得到的菲涅尔反射绝对强度I₀，计算得到熔点正向反射绝对强度I₁；

步骤9：根据熔点反向反射相对强度I′₂、解理面菲涅尔反射相对强度I′₀和步骤7计算得到的菲涅尔反射绝对强度I₀，计算得到反向反射绝对强度I₂。

2.根据权利要求1所述的一种基于OTDR的光子晶体光纤环熔点反射强度确定方法，其特征在于：所述步骤4中光纤跳线长度大于OTDR盲区长度。

3.根据权利要求1-2任意所述的一种基于OTDR的光子晶体光纤环熔点反射强度确定方法，其特征在于：所述解理面菲涅尔反射绝对强度其中n₁为空气折射率，n₂为SiO₂折射率。

4.根据权利要求3所述的一种基于OTDR的光子晶体光纤环熔点反射强度确定方法，其特征在于：所述熔点正向反射绝对强度

5.根据权利要求3所述的一种基于OTDR的光子晶体光纤环熔点反射强度确定方法，其特征在于：所述计算得到反向反射绝对强度

6.一种终端设备，包括执行机构、存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于：所述执行机构和处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1所述方法的步骤。

7.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被执行时实现如权利要求1所述方法的步骤。