[发明专利]柔性显示面板及柔性显示装置有效
申请号: | 201810134400.X | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108054193B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/044;G06F3/041 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种柔性显示面板,其包括柔性基底;设置在所述柔性基底上的有机发光二极管层,所述有机发光二极管层包括间隔设置的多个子像素;设置在所述有机发光二极管层上的金属网格,所述金属网格的金属走线对应设置在间隔设置的多个所述子像素之间的间隙处,所述金属网格的金属走线围成多个触控电极,至少一个所述触控电极包括至少一个第一触控区域,所述第一触控区域对应设置至少两个所述子像素。本发明的柔性显示面板,通过降低金属网格的金属走线的排布密度,可以提升柔性显示面板的显示效果。本发明还公开了一种柔性显示装置,其包括上述的柔性显示面板。
技术领域
本发明涉及柔性显示技术领域,尤其涉及一种柔性显示面板及具有所述柔性显示面板的柔性显示装置。
背景技术
相比液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等传统的显示技术,柔性显示屏具有低功耗、可弯曲、可折叠、轻薄、便携且不易碎等诸多优点,尤其是被称为下一代显示技术的柔性有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)屏幕,其具有更宽的视角、更薄的尺寸等优点,将广泛应用于智能手机、智能家居、可穿戴电子设备等电子装置中。
目前,作为触控显示屏的重要元件之一的触控电极的材质主要为氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO),而氧化铟锡作为脆性半导体材质,不适合应用在柔性显示屏上。因此,在现有技术中,针对柔性AMOLED屏幕等柔性显示屏,其触控电极采用直接制作在薄膜封装层(Thin Film Encapsulation,TFE)上表面的金属网格(Metal Mesh)。但是,由于Metal Mesh为不透明的金属材质,因此存在一定的挡光现象,影响AMOLED屏幕的光学效果。
发明内容
本发明实施例提供一种柔性显示面板及柔性显示装置,其通过降低金属网格的金属走线的排布密度,减少金属网格的金属走线对子像素发出的光线的遮挡,使得子像素发出的光线的透射率更高,进而提升柔性显示面板的显示效果。
一方面,本发明实施例提供了一种柔性显示面板,其包括柔性基底;有机发光二极管层,设置在所述柔性基底上,所述有机发光二极管层包括间隔设置的多个子像素;设置在所述有机发光二极管层上的金属网格,所述金属网格的金属走线对应设置在间隔设置的多个所述子像素之间的间隙处,所述金属网格的金属走线围成多个触控电极,至少一个所述触控电极包括至少一个第一触控区域,所述第一触控区域对应设置至少两个所述子像素。
其中,至少一个所述触控电极包括多个第一触控区域,每一所述第一触控区域对应设置的子像素的数目相同。
其中,至少一个所述触控电极包括多个第一触控区域,部分所述第一触控区域对应设置的子像素的数目相同。
其中,至少一个所述触控电极包括第二触控区域,每个所述第二触控区域对应设置一个所述子像素。
其中,多个所述触控电极包括多个位于边缘部分的触控电极和多个位于中心部分的触控电极,多个位于边缘部分的触控电极围绕多个位于中心部分的触控电极设置,位于边缘部分的触控电极的金属走线密度小于位于中心部分的触控电极的金属走线密度。
其中,每一所述触控电极包括多个第一触控区域和多个第二触控区域,位于边缘部分的触控电极中的第一触控区域的数量大于位于中心部分的触控电极中的第一触控区域的数量,位于边缘部分的触控电极中的第二触控区域的数量小于位于中心部分的触控电极中的第二触控区域的数量。
其中,每一所述触控电极中的金属走线的至少一个交叉处设置有走线缺口,所述走线缺口内设置有悬浮电极。
其中,所述多个触控电极包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,所述第一触控电极与所述第二触控电极相互绝缘且交叉设置形成互容电极结构,多个所述第一触控电极沿第一方向延伸设置为多列,多个所述第二触控电极沿第二方向延伸设置为多行,其中,所述第一方向与所述第二方向垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的