[发明专利]硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池

权利要求书

1.一种硅异质结太阳电池的金属栅线电极，其特征在于，包括：

一条主栅线；

第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；

第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。

2.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述主栅线位于硅异质结太阳电池中央或者偏离中央的任一侧。

3.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述第二组副栅线全部分布在所述主栅线的一侧。

4.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述第二组副栅线分布在所述主栅线的两侧。

5.根据权利要求4所述的金属栅线电极，其特征在于，所述第二组副栅线中相邻两根副栅线之间的间距沿远离所述主栅线的方向逐渐增加。

6.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述第一组副栅线的多根副栅线为等间距布置。

7.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述主栅线的宽度为0.3～3mm，高度为15～50μm，

任选地，所述副栅线的宽度为20～50μm，高度为15～50μm。

8.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述第一组副栅线包括50～160根平行布置的副栅线，

任选地，所述第二组副栅线包括2～100根平行布置的副栅线。

9.根据权利要求1所述的金属栅线电极，其特征在于，所述主栅线和所述副栅线包括Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn、Ag、P中的至少之一所形成的合金，

或者，所述主栅线和所述副栅线包括Ag或Ag的合金。

10.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：

n型晶硅衬底；

第一轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层形成在所述n型晶硅衬底的上表面；

第二轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层形成在所述n型晶硅衬底的下表面；

重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层形成在所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层的上表面；

重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层形成在所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的下表面；

第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层形成在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的上表面；

第二透明导电氧化物层，所述第二透明导电氧化物层形成在所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的下表面；

权利要求1～9任一项所述的金属栅线电极，所述金属栅线电极形成在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面。