[发明专利]一种液晶移相器、移相方法及其制作方法

说明书

本发明公开一种液晶移相器、移相方法及其制作方法，该移相器包括对盒设置的第一基板以及第二基板；设置在所述第一基板朝向所述第二基板一侧的第一电极层；设置在所述第二基板朝向所述第一基板一侧的包括多个电隔离的电极板的第二电极层；设置在所述第一电极层和所述第二基板之间的多个隔离带，所述多个隔离带与所述第一电极层、第二电极层及其间的液晶层形成为多个相互独立的密封区域，每一所述电极板对应一个所述密封区域，在所述密封区域中密封有介电常数不完全同的液晶。本发明增大了液晶移相器的移相度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种液晶移相器、移相方法及其制作方法。

背景技术

移相器是一种能够对波的相位进行调整的一种装置，在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信、仪器仪表甚至音乐领域都有着广泛的应用。液晶移相器在连续调相方面具有重大优势，但是由于液晶介电常数较小，不能很好的满足调相的要求，因此需要延长微带线以满足调相的要求。

液晶移相器由于液晶本身介电常数的限制，使得移相器必须做的足够长才可以达到满意的移相度，而移相器太长，既增加了损耗，又增加了其体积和重量。

传统的液晶移相器如图1所示，液晶层各处的介电常数一致，而两款液晶混合后的介电常数要小于混合前各介电常数之和，因为混晶中介电常数为线性变化，即ε＝c₁×ε₁+c₂×ε₂其中c为浓度，ε为介电常数，所以当液晶相互混合时会造成介电常数的下降，从而降低移相器的移相度。

发明内容

为了解决上述技术问题至少之一，本发明第一方面提供一种液晶移相器，该移相器包括

对盒设置的第一基板以及第二基板；

设置在所述第一基板朝向所述第二基板一侧的第一电极层；

设置在所述第二基板朝向所述第一基板一侧的包括多个电隔离的电极板的第二电极层；

设置在所述第一电极层和所述第二基板之间的多个隔离带，所述多个隔离带与所述第一电极层、第二电极层及其间的液晶层形成为多个相互独立的密封区域，每一所述电极板对应一个所述密封区域，在所述密封区域中密封有介电常数不完全同的液晶。

优选地，还包括有分别设置在所述液晶层两侧的第一取向层以及第二取向层。

优选地，所述多个密封区域中，相邻密封区域内液晶的介电常数不相同。

优选地，所述多个密封区域中的介电常数均不相同。

优选地，所述第一电极层具有微带线结构，所述电极板为接地板。

优选地，所述液晶移相器采用VA模式。

本发明第二方面提供一种移相方法，包括以下步骤：

对微带线结构和每个密封区域的接地板施加相同的电压；

对各密封区域的接地板依次施加调相电压。

优选地，所述对各密封区域的接地板依次施加调相电压的步骤进一步包括：

对多个密封区域的其中一个密封区域的接地板施加调相电压；

当多个密封区域的所述其中一个密封区域内的液晶发生转向后，向另一个密封区域的接地板施加调相电压。

优选地，施加到各密封区域的接地板的调相电压相同或不同。

本发明第三方面提供一种制作方法，

通过构图工艺在第一基板的一侧形成第一电极层图形；

通过构图工艺在第二基板的一侧形成第二电极层图形；