[发明专利]影像传感器

权利要求书

1.一种影像传感器，其特征在于，包括:

多个色彩像素，每一个该色彩像素包括:

基板，具有第一面以及与该第一面相对的第二面，其中该第一面接收入射光；

光电二极管，形成在该基板中的像素区域内；

深沟槽隔离结构，设置在该基板中，由该第一面延伸到该第二面以及围绕该光电二极管；

内介电层，设置在该基板的该第二面上；

硅层，设置在该内介电层中，且在该基板的该第二面上方；

自对准硅化物层，形成在该硅层上，以构成相对于该基板的一间距；

金属壁，设置在该内介电层中且在该基板的该第二面上，由该深沟槽隔离结构向外延伸；以及

电路结构，设置在该内介电层中，与该金属壁接触，其中该电路结构与在该金属壁与该自对准硅化物层之间的间隙重叠，

其中该电路结构的上表面也接收该入射光被该金属壁反射的一部分光，且将该部分光通过该间距反射回到该光电二极管。

2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，还包括:

抗反射层，在该基板的该第一面；

介电层，设置在该抗反射层上；

色彩滤光层，设置在介电层上方；

透镜，设置在该色彩滤光层上，其中该透镜接收该入射光的一部分；以及

格状结构，设置在该介电层及色彩滤光层中，围绕该像素区域。

3.根据权利要求2所述的影像传感器，其特征在于，该色彩滤光层是红色、绿色或蓝色。

4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，该硅层是多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的影像传感器，其特征在于，该多晶硅层是直接设置在该基板的该第二面上。

6.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，该电路结构包含金属线结构以将由该光电二极管所产生的信号导出。

7.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，该深沟槽隔离结构及该金属壁是连接在一起，以形成一遮壁，围绕该光电二极管，该硅层及该自对准硅化物层。

8.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，该自对准硅化物层反射该入射光的一部分光回到该光电二极管。

9.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，该金属壁、该自对准硅化物层及该电路结构的上表面一起形成可以反射光的凹陷反射底面。

10.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，相邻两个该像素共用该深沟槽隔离结构与该金属壁的一部分。

11.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，该深沟槽隔离结构是单体结构。