[发明专利]一种热光型相位调制结构

权利要求书

1.一种热光型相位调制结构，包括：

波导；

设置在所述波导周围的包层；

设置在所述包层与所述波导相邻一侧的相对侧的第一接触掺杂区和第二接触掺杂区；

设置在第一接触掺杂区上方且与第一接触掺杂区形成电连接的第一电极；以及

设置在第二接触掺杂区上方且与第二接触掺杂区形成电连接的第二电极。

2.如权利要求1所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述热光型相位调制结构位于绝缘体上硅SOI衬底上，所述波导位于顶硅层内，所述包层是位于所述波导两侧以及顶部的二氧化硅层，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区分别位于包层与所述波导相邻一侧的相对侧的顶硅层中，所述第一电极和第二电极位于所述顶硅层的顶面上。

3.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的掺杂类型与所述波导的掺杂类型相同，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的掺杂浓度大于所述波导的掺杂浓度。

4.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区是L形结构，分别包括位于第一电极和第二电极正下方的纵向部分和从纵向部分底部向包层下方横向延伸的横向部分，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的横向部分不超过所述包层的正下方。

5.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为浅脊型波导。

6.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为台阶型波导。

7.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为低位脊型波导，所述波导的脊形凸起顶面低于顶硅层的顶面，包层覆盖在所述波导的两侧和顶面上，且所述包层的顶面与所述顶硅层的顶面基本齐平。

8.一种热光型相位调制结构，包括：

波导；

设置在所述波导周围的包层；

设置在所述包层上方的第一电极和第二电极；

设置在所述波导上方的电阻；

设置在所述波导上方且与第一电极电连接的第一接触掺杂区；以及

设置在所述波导上方且与第二电极电连接的第二接触掺杂区，其中所述电阻电连接在所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区之间。

9.如权利要求8所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述热光型相位调制结构位于绝缘体上硅SOI衬底上，所述波导位于顶硅层内，所述包层是位于所述波导两侧以及顶部的二氧化硅层，所述电阻、第一电极、第二电极、第一接触掺杂区和第二接触掺杂区形成在波导上方的多晶硅层中。

10.如权利要求9所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的掺杂类型与所述电阻的掺杂类型相同，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的掺杂浓度大于所述电阻的掺杂浓度。

11.如权利要求9所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为浅脊型波导。

12.如权利要求9所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为台阶型波导。

13.如权利要求9所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为低位脊型波导，所述波导的脊形凸起顶面低于顶硅层的顶面，所述包层为与所述波导共形的二氧化硅层，且所述包层的脊形凸起顶面低于顶硅层的顶面，所述多晶硅层覆盖在所述包层顶面上，且多晶硅层的顶面与顶硅层的顶面基本齐平。