[发明专利]半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器有效
| 申请号： | 201810088768.7 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108346674B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 赵长林;曾甜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体硅晶片 图像传感器 光阻剂 浅沟槽 光阻 刻蚀 制备 表面形成波浪 图案化工艺 图像处理器 表面形成 光吸收率 光学性能 条纹图案 硅晶片 阻挡层 侧壁 预设 相等 平行 铺设 | ||
1.一种半导体硅晶片的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体硅晶片；
在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻；
以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；
对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻，包括：
采用KrF曝光机对所述光阻剂进行曝光处理后，进行显影和冲洗，得到具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构，包括：
采用酸剂对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述酸剂为具有各项异性的酸。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对所述波浪形结构进行填充的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述波浪形结构进行填充的步骤，包括：
在所述半导体硅晶片完成介电层沉积工艺后，采用原子层沉积法对所述波浪形结构进行填充。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述介电层为由高介电值材料制成的介电层。
8.一种半导体硅晶片，其特征在于，所述半导体硅晶片采用如权利要求1-7任一项所述的半导体硅晶片制作方法得到。
9.一种图像传感器，其特征在于，包括权利要求8所述的半导体硅晶片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810088768.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
