[发明专利]一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置有效
申请号: | 201810084474.7 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108281470B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 王湘成;牛晶华 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 电致发光 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上且用于限定出呈阵列排布的多个像素区域的像素限定结构;所述像素限定结构面向所述像素区域的侧面为倾斜侧面;
所述阵列基板还包括:至少设置在所述像素限定结构的倾斜侧面上且具有反射功能和散射功能的光调节结构;
其中,所述光调节结构远离所述像素限定结构一侧的表面具有多个凸起;
且所述光调节结构包括:金属层,以及设置在所述金属层远离所述像素限定结构一侧的非金属层;所述凸起位于所述非金属层远离所述金属层一侧的表面。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层由金属银或金属铝构成。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起在垂直于所述衬底基板表面方向上的横截面的形状为半圆形、半椭圆形、三角形、四边形和多边形中的一种或组合。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述光调节结构中的金属层的厚度至少为50纳米。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非金属层由聚酰亚胺或氮化硅构成。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非金属层的厚度在5纳米至100纳米之间。
7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在各所述像素区域内的发光层,以及覆盖各所述发光层和所述像素限定结构的阴极;
所述阴极与至少设置于所述像素限定结构的倾斜侧面之上的所述光调节结构直接接触。
8.一种电致发光显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1-7任一项所述的阵列基板,以及与所述阵列基板相对而置的封装基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求8所述的电致发光显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的