[发明专利]非易失存储设备的掉电时间估计方法和装置有效

专利信息
申请号: 201810081525.0 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN110083496B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 夏天;玄在雄;江冬 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 贺琳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 非易失 存储 设备 掉电 时间 估计 方法 装置
【说明书】:

发明实施例公开了一种非易失存储设备的掉电时间估计方法和装置,所述方法应用于非易失存储设备中,该方法包括:获取并记录参考数据在非易失存储设备的掉电时刻的第一最优读电压,参考数据为根据预配置的选取规则所确定的非易失存储设备的至少一个逻辑块地址扇区Sector中的数据;在非易失存储设备的所述掉电时刻之后的上电时刻,根据第一最优读电压读取参考数据,得到参考数据的出错数;若所述出错数不大于设定门限值,则确定所述非易失存储设备的掉电时长为第一设定时长。通过本发明实施例,能够根据参考数据在上电时的读取的出错时,识别出非易失存储设备在发生掉电至再次上电恢复期间,发生的是否为短时掉电,提高短时掉电时的响应效率。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种非易失存储设备的掉电时间估计方法和装置。

背景技术

固态硬盘(Solid State Disk,SSD)的数据保持(Retention)时间是指数据在闪存(Flash)中的保存时间,即从数据存入到数据擦除的时间。一般来说,随着Retention时间的增加,数据的出错比特数会变多。这时就需要依赖SSD内部的数据巡检机制来保证数据的准确性,数据巡检通过对Flash中Retention时间大于设定门限值的数据进行搬移,为数据可靠性提供保障。

SSD在系统设计时都会考虑掉电保护机制,以保护系统在异常断电后数据没有异常丢失,提供系统的可靠性。SSD的掉电保护和相应的上电恢复,是产品竞争力的差异特性之一。但SSD在掉电期间,没有机制来记录掉电时间。SSD恢复上电后,系统中记录的数据Retention时间不再准确,数据巡检不能有效识别并搬移Retention时间大于设定门限值的数据,导致数据可靠性存在风险。因此,需要对SSD的掉电时间进行估计。目前对于掉电时间的估计方案,主要有以下几种:

一种是通过静态配置掉电时间T。但该方案由于T只对应一种掉电时间,实际场景下掉电时间可能为任意值,静态配置不能准确反映真实掉电时间。一种是利用主机(Host)时间估计掉电时间。但由于Host时间存在不确定性,如果Host时间在SSD掉电期间被改过,估计出的掉电时长就不能准确反映掉电的时长,甚至会出现负值。

可见,现有的掉电时间估计方案都不能够准确的估计出SSD掉电器件的物理时间,所以不能提供准确的掉电等效时间。

发明内容

本申请提供了一种非易失存储设备的掉电时间估计方法和装置,能够根据非易失存储设备中数据的出错数确定出非易失存储设备的掉电时间为短时掉电即掉电时长为第一设定时长。

结合第一方面,本申请提供了一种非易失存储设备的掉电时间估计方法,所述方法应用于非易失存储设备中,所述方法包括:获取并记录参考数据在所述非易失存储设备的掉电时刻的第一最优读电压,其中,所述参考数据为根据预配置的选取规则所确定的所述非易失存储设备的至少一个逻辑块地址扇区(Sector)中的数据;在所述非易失存储设备的所述掉电时刻之后的上电时刻,根据所述第一最优读电压读取所述参考数据,得到所述参考数据的出错数;若所述出错数不大于设定门限值,则确定所述非易失存储设备的掉电时长为第一设定时长。

本申请中,根据非易失存储设备掉电时刻的最优读电压,读取在掉电时刻之后的上电时刻的设备中的参考数据,得到参考数据的出错数,基于该出错数与预配置的出错门限值(设定门限值),能够确定出非易失存储设备是否发生了短时掉电。在确定设备发生的是短时掉电时,能够通过第一设定时长的合理配置,使非易失存储设备完成上电恢复后,无需要进行数据巡检,提高了非易失存储设备的响应效率。

结合第一方面,在一种可能的实施方式中,若所述出错数大于所述设定门限值,在所述非易失存储设备的所述掉电时刻之后的上电时刻,所述方法还包括:获取所述参考数据在所述上电时刻的第二最优读电压;根据所述第一最优读电压和所述第二最优读电压计算所述参考数据的最优读电压偏移;根据所述最优读电压偏移确定所述非易失存储设备的掉电时长。

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