[发明专利]非易失存储设备的掉电时间估计方法和装置

权利要求书

1.一种非易失存储设备的掉电时间估计方法，其特征在于，所述方法应用于非易失存储设备中，所述方法包括：

获取并记录参考数据在所述非易失存储设备的掉电时刻的第一最优读电压，其中，所述参考数据为根据预配置的选取规则所确定的所述非易失存储设备的至少一个逻辑块地址扇区Sector中的数据；

在所述非易失存储设备的所述掉电时刻之后的上电时刻，根据所述第一最优读电压读取所述参考数据，得到所述参考数据的出错数；

若所述出错数不大于设定门限值，则确定所述非易失存储设备发生短时掉电，所述非易失存储设备的掉电时长为第一设定时长；

其中，所述第一最优读电压为所述参考数据在所述非易失存储设备的掉电时刻对应的最优读电压；

所述第一设定时长为预先配置的所述非易失存储设备发生短时掉电时对应的掉电时长。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述出错数大于所述设定门限值，则确定所述非易失存储设备发生非短时掉电，在所述非易失存储设备的所述掉电时刻之后的上电时刻，所述方法还包括：

获取所述参考数据在所述上电时刻的第二最优读电压；

根据所述第一最优读电压和所述第二最优读电压计算所述参考数据的最优读电压偏移；

根据所述最优读电压偏移确定所述非易失存储设备的掉电时长。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述参考数据为至少两个不同的Retention时间所对应的Sector中的数据，所述根据所述最优读电压偏移确定所述非易失存储设备的掉电时长，包括：

确定在所述掉电时刻的、所述至少两个不同的Retention时间中每个Retention时间所对应的最优读电压，其中，所述Retention时间所对应的最优读电压为所述Retention时间对应的参考数据所对应的最优读电压；

将所述至少两个不同的Retention时间中的一个Retention时间作为参考时间，分别计算所述至少两个不同的Retention时间中每个Retention时间所对应的最优读电压，与所述参考时间所对应的最优读电压的差值；

根据所述差值中与所述最优读电压偏移最接近的差值所对应的Retention时间和所述参考时间，确定所述非易失存储设备的掉电时长。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述差值中与所述最优读电压偏移最接近的差值所对应的Retention时间和所述参考时间，确定所述非易失存储设备的掉电时长，包括：

将所述差值中与所述最优读电压偏移最接近的差值所对应的Retention时间与所述参考时间的差值，确定为所述非易失存储设备的掉电时长。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述差值中与所述最优读电压偏移最接近的差值所对应的Retention时间和所述参考时间，确定所述非易失存储设备的掉电时长之前，还包括：

确定所述最优读电压偏移不大于所述差值中的最大差值，且所述最优读电压偏移不小于所述差值中的最小差值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，若所述最优读电压偏移大于所述差值中的最大差值，或所述最优读电压偏移小于所述差值中的最小差值，所述方法还包括：

确定所述非易失存储设备的掉电时长为第二设定时长；

所述第二设定时长为预先配置的所述非易失存储设备发生非短时掉电且所述最优读电压偏移大于所述差值中的最大差值时对应的掉电时长；

或，所述第二设定时长为预先配置的所述非易失存储设备发生非短时掉电且所述最优读电压偏移小于所述差值中的最小差值时对应的掉电时长。