[发明专利]电压调节器及其操作方法有效
| 申请号: | 201810078652.5 | 申请日: | 2018-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN108376014B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
| 发明(设计)人: | 游志青;蒂姆·恩戈 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陈炜 |
| 地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 调节器 及其 操作方法 | ||
1.一种电压调节器,包括:
输入电压端子;
功率级,其电耦合至所述输入电压端子;
控制器,其被配置成控制所述功率级的开关;
感测网络,其包括:分流电阻器,所述分流电阻器串联连接在所述输入电压端子与所述功率级之间;第一电平移动电阻器,所述第一电平移动电阻器串联连接在所述分流电阻器的第一端子与所述控制器的第一感测引脚之间;以及第二电平移动电阻器,所述第二电平移动电阻器串联连接在所述分流电阻器的第二端子与所述控制器的第二感测引脚之间;以及
校准电路,其被配置成响应于所述控制器进入校准模式而将所述控制器的所述第一感测引脚和所述第二感测引脚经由所述感测网络的所述第一电平移动电阻器和所述第二电平移动电阻器而电连接至所述分流电阻器的同一端子。
2.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述控制器被配置成在所述校准模式下测量所述第一感测引脚和所述第二感测引脚处的电流和/或电压,以及其中,所述控制器被配置成:将在所述校准模式下测量的电流和/或电压用作用于调整在所述校准模式之外当所述第一电平移动电阻器连接至所述分流电阻器的所述第一端子并且所述第二电平移动电阻器连接至所述分流电阻器的所述第二端子时由所述控制器在所述第一感测引脚和所述第二感测引脚处获得的电流和/或电压测量结果的偏移。
3.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述控制器被配置成当所述控制器处于所述校准模式下时开关所述功率级以调节耦合至所述功率级的负载。
4.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述校准电路包括:
第一晶体管,其串联连接在所述分流电阻器的所述第二端子与所述感测网络的所述第二电平移动电阻器之间;
第二晶体管,其连接至所述第一晶体管的栅极;以及
电阻器,其具有连接至所述分流电阻器的所述第一端子的第一端子和连接在所述第一晶体管与所述第二电平移动电阻器之间的第二端子,
其中,所述第二晶体管被配置成响应于来自所述控制器的校准模式信号而关断所述第一晶体管,所述校准模式信号指示所述控制器正进入所述校准模式,
其中,所述第一晶体管被配置成当所述第二晶体管被关断时将所述分流电阻器的所述第二端子从所述感测网络的所述第二电平移动电阻器断开。
5.根据权利要求4所述的电压调节器,其中,所述第一晶体管是p沟道晶体管,其中,所述第二晶体管是n沟道晶体管,以及其中,所述校准电路还包括将所述p沟道晶体管的栅极连接至所述分流电阻器的所述第二端子的第一上拉电阻器,和将所述n沟道晶体管的栅极连接至电源的第二上拉电阻器。
6.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述校准电路包括:
第一晶体管,其串联连接在所述分流电阻器的所述第二端子与所述感测网络的所述第二电平移动电阻器之间;
第二晶体管,其连接至所述第一晶体的栅极;
第三晶体管,其将所述分流电阻器的所述第一端子连接在所述第一晶体管与所述第二电平移动电阻器之间;以及
第四晶体管,其连接至所述第三晶体管的栅极,
其中,所述第二晶体管被配置成响应于来自所述控制器的校准模式信号而关断所述第一晶体管,所述校准模式信号指示所述控制器正进入所述校准模式,
其中,所述第一晶体管被配置成当所述第二晶体管被关断时将所述分流电阻器的所述第二端子从所述感测网络的所述第二电平移动电阻器断开,
其中,所述第三晶体管被配置成在所述第一晶体管导通的情况下,将所述分流电阻器的所述第一端子从所述感测网络的所述第二电平移动电阻器断开,
其中,所述第四晶体管被配置成在所述第一晶体管关断的情况下导通所述第三晶体管,以在所述校准模式下将所述分流电阻器的所述第一端子连接至所述感测网络的所述第二电平移动电阻器。
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