[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。所述方法提高了半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

集成电路制造过程中，对覆盖于半导体衬底表面的光刻胶(Photo Resist，PR)进行曝光显影，形成图形化的光刻胶层，然后以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底，即采用刻蚀技术将光刻胶层中的图形转移到半导体衬底上，从而形成集成电路结构。

在一种情况下，半导体衬底各区域的高度各不相同，各个区域光刻胶的阻挡能力具有较大的差别。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。

可选的，形成所述第一光阻膜的方法包括：在基底的第一区和第二区表面形成第一光阻材料层；对第一光阻材料层进行曝光和显影以去除第二区表面的第一光阻材料层，形成所述第一光阻膜。

可选的，所述基底仅包括第一区和第二区；所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。

可选的，所述第一光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层；所述第二光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层。

可选的，所述基底还包括第三区；所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面；所述第二光阻膜暴露出所述第三区的顶部表面；所述半导体器件的形成方法还包括：在第二光阻膜的表面和基底第三区的顶部表面形成第三光阻膜，第三区上的第三光阻膜的厚度大于第二区上的第三光阻膜的厚度，且第二区上的第三光阻膜的厚度大于第一区上第三光阻膜的厚度。

可选的，所述基底仅包括第一区、第二区和第三区；所述第一区上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，等于所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度等于所述第三区上第三光阻膜的厚度。

可选的，还包括：对第一光阻膜和第二光阻膜进行曝光和显影，使第一区上的第一光阻膜和第二光阻膜形成图形化的第一光阻层，使第二区上的第二光阻膜形成图形化的第二光阻层。

可选的，以所述第一光阻层为掩膜刻蚀基底的第一区，同时以第二光阻层为掩膜刻蚀基底的第二区；或者，以所述第一光阻层为掩膜对基底的第一区进行离子注入，同时以第二光阻层为掩膜对基底的第二区进行离子注入。

本发明还提供一种半导体器件，包括：基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅位于基底的第一区的顶部表面的第一光阻膜；位于第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面的第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。

可选的，所述基底仅包括第一区和第二区；所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。

可选的，所述基底还包括第三区，所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面；所述第三区的顶部表面未被第二光阻膜覆盖；所述半导体器件还包括：位于第二光阻膜的表面和基底第三区的顶部表面的第三光阻膜，第三区上的第三光阻膜的厚度大于第二区上的第三光阻膜的厚度，且第二区上的第三光阻膜的厚度大于第一区上第三光阻膜的厚度。