[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201810076678.6 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108365065B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 陈昭兴;王佳琨;庄文宏;吕政霖;曾咨耀 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/20;H01L33/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【说明书】:

发明公开一种发光元件,其包含一半导体结构,包含一表面及一侧壁倾斜于该表面,该半导体结构包含一第一半导体层、一第二半导体层位于该第一半导体层上及一活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间,且该第二半导体层包含一第一边缘及一第一面积;一反射层位于该半导体结构上且包含一外侧边及一第二面积;其中,该第一边缘与该外侧边之间具有一距离,该距离为0μm至10μm之间,且该反射层的该第二面积不小于该第二半导体层的第一面积的80%。

技术领域

本发明涉及一种发光元件的一结构,且特别是涉及一种包含半导体结构及反射层位于该半导体结构上的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件,其优点为功耗低、产生的热能低、工作寿命长、防震、体积小、反应速度快和具有良好的光电特性,例如稳定的发光波长。因此,发光二极管被广泛应用于家用电器、设备指示灯及光电产品等。

发明内容

本发明提供一种发光元件包含一半导体结构,包含一表面及一侧壁倾斜于上述表面,其中半导体结构包含一第一半导体层、一第二半导体层位于第一半导体层上及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含一第一边缘及一第一面积;一反射层位于半导体结构上且包含一外侧边及一第二面积;其中,第一边缘与外侧边之间具有一距离,上述距离为0μm至10μm之间,且反射层的第二面积不小于第二半导体层的第一面积的80%。

附图说明

图1为本发明一实施例中所揭示的一发光元件1c的上视图;

图2为沿着图1的线D-D’所揭示的发光元件1c的剖面示意图;

图3A~图3C分别为本发明多个不同实施例中所揭示的一发光元件的透明导电层及反射层的部分剖面示意图;

图3D为本发明一实施例中所揭示的一发光元件的部分剖面示意图;

图4A为样品A~B的特性图表;

图4B为样品C~F的特性图表;

图5为本发明一实施例中所揭示的一发光元件2c的上视图;

图6A~图6I为本发明实施例中所揭示的发光元件1c、2c的制造流程图;

图7为沿着图5的线E-E’所揭示的一发光元件2c的剖面示意图;

图8为本发明一实施例的发光装置3的示意图;

图9为本发明一实施例的发光装置4的示意图。

符号说明

1c、2c发光元件 402c第二内侧边

3、4发光装置 403c、403c'第一反射部

11c基板 404c、404c'第二反射部

11s裸露面 405c、405c'第三反射部

1000c发光结构 41c阻障层

10c半导体叠层 50c第二绝缘结构

100c孔洞 501c第一绝缘开口

101c第一半导体层 502c第二绝缘开口

102c第二半导体层 503外围

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