[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于该第一半导体层上、及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间，其中该第一半导体层包含第一表面，该第二半导体层包含第一边缘，且该半导体结构包含第一外侧壁和第二外侧壁分别连接至该第一半导体层的该第一表面；

反射结构，位于该第二半导体层上，包含反射层及形成在该反射层上的阻障层，且该反射层包含外侧边；

第一电极垫，位于该反射层上且电连接该第一半导体层；以及

第二电极垫，位于该反射层上且电连接该第二半导体层，

其中，自该发光元件的一侧视图观之,该反射层的该外侧边延伸超过该第二电极垫的一外侧壁，且该反射层的该外侧边未延伸超过该第二半导体层的该第一边缘，该第二半导体层的该第一边缘与该反射层的该外侧边之间具有一距离，该距离为0μm至10μm之间。

2.如权利要求1所述的发光元件，还包含透明导电层，位于该第二半导体层及该反射结构之间。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该透明导电层包含第一外侧边，较该反射层的该外侧边靠近该第二半导体层的该第一边缘，且未延伸超过该第二半导体层的该第一边缘。

4.如权利要求1所述的发光元件，还包含第一绝缘结构，位于该第二半导体层上，其中该反射层覆盖于该第一绝缘结构的一部分。

5.如权利要求1所述的发光元件，还包含第一绝缘结构，位于该第二半导体层上，其中该阻障层覆盖于该第一绝缘结构的一部分。

6.如权利要求4或5所述的发光元件，还包含第二绝缘结构覆盖该反射结构及该第二外侧壁。

7.如权利要求3所述的发光元件，还包含第一绝缘结构，位于该第二半导体层上，其中该透明导电层覆盖该第一绝缘结构。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该距离介于2μm及8μm之间。

9.如权利要求1所述的发光元件，还包含第一接触部以及第二接触部位于该反射结构上，其中该第一接触部电连接于该第一半导体层，该第二接触部电连接于该第二半导体层。

10.如权利要求9所述的发光元件，还包含第三绝缘结构位于该第一接触部及该第二接触部上。