[发明专利]一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810074713.0 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108276006A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 张海军;韩磊;董龙浩;张少伟 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622;C04B35/636;C04B38/10
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 氮化硅多孔陶瓷 稳泡剂 浆料 制备 机械搅拌 质量比 马来酸酐共聚物 生产成本低 磁力搅拌 节能环保 快速合成 去离子水 对设备 发泡剂 孔隙率 体积比 异丁烯 硅粉 脱模 固化 模具 保温 污染
【说明书】:

本发明涉及一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是:按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶1配料,磁力搅拌12~24h,制得稳泡剂溶液。按异丁烯‑马来酸酐共聚物∶硅粉∶稳泡剂溶液的质量比为(0.002~0.01)∶(1~1.56)∶1配料,混合,机械搅拌,制得氮化硅多孔陶瓷浆料。按发泡剂∶所述氮化硅多孔陶瓷浆料的体积比为(0.001~0.02)∶1,混合,机械搅拌,然后将制得的氮化硅多孔陶瓷浆料注入模具中,固化,脱模,干燥,在900~1200℃条件下保温0~2h,制得氮化硅多孔陶瓷。本发明具有工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、低温快速合成、生产成本低和节能环保的特点;所制备的氮化硅多孔陶瓷孔隙率高和强度大。

技术领域

本发明属于多孔陶瓷技术领域。具体涉及一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法。

背景技术

氮化硅多孔陶瓷既是优良的高温结构材料,又是新型的功能材料,具有体积密度小、比表面积大以及耐高温、耐腐蚀、较高的化学稳定性和尺寸稳定性等独特的物理特性,在过滤、净化分离、化工催化、载体、吸声减震、保温材料和传感材料等领域,具有广阔的应用前景。

发泡注浆成型是多孔陶瓷制备过程中常用的工艺之一,该工艺可采用简单的设备,制备出形状复杂的多孔陶瓷:

“一种用发泡法制备块体光催化材料的方法”(CN101967064A)专利技术,以蛋清为发泡剂、以多元糖类为胶凝剂,采用发泡注浆成型工艺,制得氧化铝和二氧化硅等多孔陶瓷。但该方法制备的陶瓷坯体需在75~85℃的环境下才能固化成型,且有机物的用量较多,所采用的发泡剂和胶凝剂虽然无毒,但烧结过程中大量的有机物燃烧会严重污染环境。

“大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷素坯的凝胶注模成型工艺”(CN101941231A)专利技术,以去离子水为溶液、以丙烯酰胺为单体、以N,N´-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂、以四甲基氢氧化铵为分散剂、以丙三醇为增塑剂、以异丙醇为链转移剂、以过硫酸铵为引发剂和以N,N,N´,N´-四甲基乙二胺为催化剂,制得大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷。此种方法存在如下不足:(1)有机物毒性较大,如单体丙烯酰胺和交联剂N,N´-亚甲基双丙烯酰胺等均对眼睛、皮肤、黏膜和呼吸道有刺激作用,会危害操作人员的健康;(2)烧结过程中有机物的燃烧产生大量的废气,对环境污染严重。(3)该方法有机物用量较大,成本较高,不适于规模化生产。

“一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法”(CN1654432A)专利技术,以酚醛树脂为造孔剂和碳源、以Si3N4为原料、以Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用碳热还原反应,原位生成SiC相,制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷。该方法存在如下不足:(1)工艺复杂,如需要氩气和氮气两种气氛;(2)烧结温度较高,高达1700~1800℃。(3)Si3N4用量为70wt%,成本较高,不适于规模化生产。

“一种低热导率氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法”(CN103058708A)专利技术,以硅和碳化硅粉体为原料,采用凝胶注模工艺,制得氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷。但该方法存在如下问题:(1)工艺复杂,如需在400~600℃空气气氛下保温2~6小时进行排胶;(2)凝胶过程中加入大量的单体、交联剂等有机物,高温分解产生气体会对大气造成污染;(3)交联剂亚甲基双丙烯酰胺具有毒性,对人和环境危害大;(4)烧结温度较高,在使用催化剂的条件下依然需要高达1300~1500℃。

微波烧结虽具有加热速度快、热量损失小、操作方便等特点,但由于其升温和降温速率较快,在热应力作用下使得在致密材料的性能降低。

发明内容

本发明旨在克服现有技术的不足,目的是提供一种工艺简单、污染小、快速低温和生产成本低的氮化硅多孔陶瓷的制备方法;用该方法制备的氮化硅多孔陶瓷的孔隙率高和强度大。

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