[发明专利]一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述制备方法的具体步骤是：

步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶1，将所述稳泡剂加入到所述去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液；

步骤二、按异丁烯-马来酸酐共聚物∶硅粉∶所述稳泡剂溶液的质量比为 (0.002~0.01)∶(1~1.56)∶1，将所述异丁烯-马来酸酐共聚物和所述硅粉加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅陶瓷浆料；

步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅陶瓷浆料的体积比为(0.001~0.02)∶1，将所述发泡剂加入到所述氮化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅多孔陶瓷浆料；

步骤四、将所述氮化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅多孔陶瓷坯体；

步骤五、将所述氮化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在900~1200℃条件下保温0~2h，制得氮化硅多孔陶瓷。

2.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述稳泡剂为羧甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素和羟丙基淀粉醚中的一种；所述稳泡剂为工业纯或为分析纯。

3.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述异丁烯-马来酸酐共聚物为工业纯。

4.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述发泡剂为十六烷基三甲基溴化铵或为十二烷基三乙醇胺。

5.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述硅粉的中位粒径为≤5μm。

6.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述干燥为自然干燥或为在30~120℃条件下干燥。

7.一种氮化硅多孔陶瓷，其特征在于所述的氮化硅多孔陶瓷是根据权利要求1~6项中任一项所述氮化硅多孔陶瓷的制备方法所制备的氮化硅多孔陶瓷。