[发明专利]像素结构、显示基板和显示装置有效
申请号: | 201810074389.2 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108258022B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;蔡振飞;袁志东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 显示 显示装置 | ||
1.一种像素结构,包括多个子像素,相邻所述子像素之间设置有像素限定层,其特征在于,所述像素限定层设置为包括至少一个间断的分离限定部件,在间断区域内设置有均衡电极,所述均衡电极和与其相邻的所述子像素连接的扫描信号接收部件连接;
所述子像素包括薄膜晶体管和OLED器件,所述薄膜晶体管至少包括栅极,所述OLED器件至少包括发光层,所述均衡电极与所述发光层和所述栅极分别连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述发光层和所述栅极之间设置有绝缘层,所述绝缘层开设有过孔;
所述均衡电极包括叠层设置于所述过孔内、且互相连接的第一部和第二部,所述第一部的底部与所述栅极连接,所述第二部的顶部与所述发光层连接。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括源极和漏极,所述OLED器件还包括阳极和阴极,所述OLED器件为包括至少两个发光单元的叠层OLED器件,所述发光单元层叠设置于所述阳极和所述阴极之间,所述薄膜晶体管的漏极与所述叠层OLED器件的阳极连接。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述子像素设置有第一信号端和第二信号端,所述栅极与所述第一信号端连接,所述源极与所述第二信号端连接。
5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述第一部采用与所述漏极相同的材料、在同一构图工艺中形成,所述第二部采用与所述阳极相同的材料、在同一构图工艺中形成。
6.一种显示基板,包括由交叉设置的栅线和数据线划分的多个像素区,其特征在于,每一所述像素区内设置有权利要求1-5任一项所述像素结构。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,每一所述像素区划分为与所述像素结构中的所述子像素对应的子像素区,每一所述子像素设置于一所述子像素区内。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述子像素内的薄膜晶体管的栅极和与其相邻的所述栅线连接。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6-8任一项所述的显示基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810074389.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的