[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：制作第一键合结构；制作第二键合结构；利用第一键合结构中的第一键合层和第二键合结构中的第二键合层，将第一键合结构和第二键合结构键合，第二键合层中的第一区域与第一键合层中的第二区域键合，第二键合层中的第二区域与第一键合层中的第一区域键合；在第一发光层表面形成第一电极；在第二发光层表面形成第二电极，从而使得LED芯片在工作时，电流流向和散热方向不完全相同，缓解了LED芯片中的热量在LED芯片的衬底累积的现象，提高了第一发光层和第二发光层的发光效率，延长了LED芯片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及高功率LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管是一种半导体发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等。白光LED是继白炽灯和日光灯之后的第三代电光源，是未来照明领域的明星行业。

自从金属有机化学外延生长技术成功研发后，铝镓铟磷(AlGaInP)系材料发展迅速被用来制作高功率高亮度红光及黄光LED。但是，现有AlGaInP系材料制造的LED存在热冗累积的现象，导致LED的寿命较短。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，以缓解AlGaInP系材料制造的LED中存在热冗累积的现象，延长LED的寿命较短以

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种LED芯片的制作方法，包括：

制作第一键合结构，所述第一键合结构包括：第一砷化镓衬底、位于所述第一砷化镓衬底表面第一区域的第一发光层、位于所述第一发光层侧壁的第一阻挡层、位于所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底的第一键合层，所述第一键合层还覆盖所述第一砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列；

制作第二键合结构，所述第二键合结构包括：第二砷化镓衬底、位于所述第二砷化镓衬底表面第一区域的第二发光层、位于所述第二发光层侧壁的第二阻挡层、位于所述第二发光层背离所述第二砷化镓衬底的第二键合层，所述第二键合层还覆盖所述第二砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列；

利用所述第一键合层和所述第二键合层，将所述第一键合结构和所述第二键合结构键合，其中，所述第二键合层中的第一区域与所述第一键合层中的第二区域键合，所述第二键合层中的第二区域与所述第一键合层中的第一区域键合；

去除所述第一砷化镓衬底以及位于所述第二发光层表面的第一键合层和第二键合层；

在所述第一发光层表面形成第一电极；

在所述第二发光层表面形成第二电极。

可选的，该方法在去除所述第一砷化镓衬底以及位于所述第二发光层表面的第一键合层和第二键合层之前还包括：

去除所述第二砷化镓衬底，并在所述第二砷化镓衬底所在位置形成第三键合层；

在所述第三键合层背离所述第一砷化镓的一侧键合硅衬底。

可选的，所述制作第一键合结构包括：

提供第一砷化镓衬底；

在所述第一砷化镓衬底表面第一区域形成第一发光层；

在所述第一发光层侧壁形成第一阻挡层；

在所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底一侧形成第一键合层，所述第一键合层还覆盖所述第一砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列。

可选的，在所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底一侧形成第一键合层包括：